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第一題是108普考電子學概要第四題 https://i.imgur.com/ePw9cix.jpg
我的疑問點: 因為這題FET的長寬比和RD都不匹配 所以無法使用半電路求解 在中間也不接地,而且又要考慮小ro的情況要如何處理? 第二題是109年普考的電子學概要第三題 https://i.imgur.com/aLI9o93.jpg
我的疑問點: 求VB1的部分沒有問題就是單純的帶公式。 而VB2比較難處理。 VB2的做法我是先不考慮最右側的電晶體, 設計完widlar的偏壓點後,再放回去求解,這樣跟市面上的解答書答案值相近,只是想要 請問版上的高手們有沒有更好的方法? -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 111.184.181.101 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Examination/M.1662204208.A.6C4.html
asxu31: 第一題: 09/04 08:44
asxu31: Is依照兩個FET的(W/L)比例分配 09/04 08:44
asxu31: 即可求出兩個小ro 09/04 08:46
asxu31: 剩下就用全電路去解,基本功 09/04 08:46