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Leti找到徹底顛覆製造microLED的新方法
http://bit.ly/2Jvuid2
來自法國原子能總署（CEA）旗下的電子資訊技術研究所Leti聲稱，研發出生產microLED
的新方法，將徹底顛覆高性能顯示器的製造。Leti在加州聖荷西舉行的國際資訊顯示學會
（SID）顯示周上，詳細介紹了一種將發光半導體與基於矽的驅動電路相結合的新製造製
程。
這是一種在CMOS製程上製造GaN（氮化鎵） microLED顯示器的新技術，該技術能夠顯著減
少傳輸步驟，並消除從智慧手錶到大型電視等應用領域的尺寸限制。這一新方法是在CMOS
驅動電路上製造一體化RGB microLED的基本單元，並將器件轉移到簡單的接收基板上，然
後可以採用全半導體晶圓級方法製造出這些單元。
Leti表示，雖然microLED顯示器可以提供比現有LCD和OLED技術更出色的影像品質和更高
效能，但目前存在很大的商業化障礙。最大的挑戰之一是在為了提高影像亮度、反應速度
、以及支持不斷提高解析度的需求下需要更高的功率，並改善驅動電子裝置的性能。在
microLED顯示器中，在固定畫面時間內需要更快的電子為數百萬像素提供電源，但是現有
的TFT有源矩陣顯示技術無法提供必要的電流和速度。
除了更高性能所需的更高功率和驅動速度之外，該過程還避免了目前在microLED和接收基
板之間進行電氣和機械接觸所需的幾個昂貴製程技術。不過，這一目前還處於概念驗證階
段的新製程，為商業化高性能microLED顯示器的開發奠定了基礎。簡單來說，基於CMOS的
方法能提供具備更高亮度和解析度的micro LED，將徹底顛覆大尺寸電視產業。
採用使用CMOS製程有幾個優點，例如器件性能，高度整合以及microLED直接堆疊在電路上
的使得連接變短。它還提供最佳填充率，即microLED佔據的最小表面加上總像素區域的電
子器件。這是透明顯示器的理想選擇，可以實現最大的透明區域。這種新方法的另一個優
點是基本單元可以嵌入除光發射之外的其他功能，例如：只要是使用CMOS技術製造，影像
感測器和許多其他功能元件也可以添加到晶片單元之中。
總之，這一新概念驗證階段的新製程為商用高性能microLED顯示器鋪平了道路，也可能成
為顯示器產業的遊戲改變者。
在這一次SID顯示周之中，索尼、英特爾、LG顯示器和三星，以及包括設備公司Aixtron和
GaN材料開發商Allos Semiconductors等供應鏈公司都談論到該技術，顯示其愈來愈成為
廠商關注的新顯示器技術。
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