推 da1234527123: 如果中科院巡防艦雷達弄不出來不知道能不能買這款回 11/16 17:43
→ da1234527123: 來整合 11/16 17:43
→ kuma660224: 雖說巡防艦,那兩艘噸位是6000/8000噸級 11/16 18:02
推 NicolaiGedda: GaN的耐壓是GaAs的10倍以上,高輸出不意外 11/16 18:04
推 mmmimi11tw: 直接進步一代 11/16 18:06
推 rommel1: 台灣的規格設定在4500噸~~~~~~ 11/16 18:44
→ diechan: 我其實是講8000噸主戰艦 11/16 19:16
→ fantasyhorse: 完全不看好中科院的整套系統~_~ 11/16 19:21
推 flash0576: GaN耐壓要建立在使用同質基板磊晶的前題,基板就是問題 11/16 19:22
推 rommel1: 主戰艦噸位較大 中科院應該做的出來? 11/16 19:26
推 vt1009: GaN元件是日本製造的? 11/16 19:30
推 astushi: 基板只有美日有能力生產夠高品質的半絕緣SiC 那個目前是 11/16 19:50
→ astushi: 戰略管制品,有錢也不一定買得到 11/16 19:50
推 glad850: 不是半絕緣SiC,那還是異質基板,晶格常數和熱膨脹係數 11/17 00:45
→ glad850: 還是跟氮化鎵有差 11/17 00:45
推 asmp: 已經有人拍到相列雷達塔裝到LCC-1高雄艦的照片,希望測試能 11/17 08:01
→ asmp: 一切順利。 11/17 08:01
推 rommel1: 被拍到了? 11/17 09:11
推 switch: 量產的高功率GaN RF元件不用半絕緣SiC要用甚麼基板? 11/17 09:41
→ switch: GaN device 的耐壓是材料本身的特性跟基板無關 11/17 09:44
推 switch: RF GaN 大廠是日本的Sumitomo,美國的 Qorvo/Cree 11/17 09:53
→ switch: 但基板應該接近100%都是美國的Cree和II-VI供應 11/17 09:56
推 asmp: 在MDC上可以看到LCC-1高雄艦出海測試的照片,雖然很模糊,不 11/17 09:59
→ switch: 洛馬用的應該是Qorvo的,但是雷神和諾格也都有在自行開發 11/17 09:59
→ asmp: 過相列天線尺寸似乎比新一代飛彈巡防艦模型上的雷達天線要大 11/17 10:00
推 ian41360: 基板用SiC目前表現最好 當然buffer layer的磊晶技術也 11/17 10:06
→ ian41360: 是有差 11/17 10:06
→ ian41360: 最新的嗯paper好像開始流行基板就是GaN 11/17 10:08
推 rommel1: 看到了 有點模糊 超大的....把弓三的雷達上艦? 11/17 10:12
推 rommel1: 艦橋上方似乎也裝了一個較小的雷達? 蜂眼? 11/17 10:14
推 asmp: 艦橋上方比較小的結構物應該是IFF塔,可能是因為雷達塔光塞 11/17 10:17
→ asmp: 雷達設備就已經滿了,所以IFF的機櫃要裝在其他的結構物中。 11/17 10:18
推 rommel1: 照片模糊 不知道是裝一片相列還是四片相列~~~ 11/17 11:02
推 scotch: 終於有照片了,有測試才可能完成 11/17 11:26
推 glad850: 長氮化鎵最好絕對還是GaN基板,你氮化鎵要做高壓功率元 11/17 12:45
→ glad850: 件,操作溫度不可避免的就會高,上百度甚至兩三百度都有 11/17 12:45
→ glad850: 可能,這時候異質基板磊晶可能造成更多差排缺陷,你做led 11/17 12:45
→ glad850: ,HEMT用藍寶石,SiC甚至矽基板都還好,做高功率像這種微 11/17 12:45
→ glad850: 波元件或IGBT最好就用同質基板,這也是只有日本美國才有 11/17 12:45
→ glad850: ,不然SiC基板至少十幾年前中國就在賣了,兩寸一片一萬台 11/17 12:45
→ glad850: 票。 11/17 12:45
推 glad850: 雖然氮化鎵磊晶時溫度就一千度左右了,但是不代表退火後 11/17 12:49
→ glad850: 長時間在幾百度下操作還能長命 11/17 12:49
推 ian41360: SiC有出6吋的了 目前4吋是主流,2吋要10K台票好像有點貴 11/17 13:45
→ ian41360: ? 11/17 13:45
→ ian41360: 青椒有個副校長實驗室在做這個,可能該實驗室出來的會比 11/17 13:46
→ ian41360: 較清楚 11/17 13:46
推 glad850: 要比尺寸GaN on Si幾年前三星就做到8吋了,舉中國2吋SiC 11/17 14:27
→ glad850: 只是說明他們早有這基板,能拉2寸,再放大到4或6吋比從無 11/17 14:27
→ glad850: 到有簡單,一片1萬也還好,同時期同樣2吋GaN基板也是1萬 11/17 14:27
→ glad850: 塊,不過單位是美金,而且你有錢也買不到,因為有出口管 11/17 14:27
→ glad850: 制。 11/17 14:27
台灣強的好像是GaAs砷化鎵
※ 編輯: diechan (114.45.161.126 臺灣), 11/17/2019 15:27:13
推 ian41360: 台灣有做GaN on SiC ,不曉得會不會被大陸挖人才?不過 11/17 16:09
→ ian41360: 看起來大陸進展較快呢 11/17 16:09
推 astushi: 你真的知道為何PA的基板要半絕緣嗎? 11/17 17:09
推 glad850: 你要半絕緣SiC找科豐就有,現在大概還是中國貨比較便宜, 11/17 17:27
→ glad850: 也沒有什麼戰略管制問題 11/17 17:27
→ kuma660224: 201511穩懋被中國砸錢吸收台籍工程師 11/17 17:51
→ kuma660224: 竊取GaN製程機密,7人被逮 11/17 17:51
→ kuma660224: 不用問會不會,是要問被偷了多少 11/17 17:52
推 glad850: 熊大穩懋那個是砷化鎵 11/17 17:55
→ kuma660224: 2014-2015兩岸友好期 爆發多起商業間諜案 11/17 17:56
→ kuma660224: GaAs為主,但GaN也有 11/17 17:57
→ kuma660224: 桃園穩懋早就改攻GaN-on-SiC領域 11/17 17:58
→ kuma660224: 因為要瞄準5G基地台及航太商機 11/17 17:58
→ kuma660224: 它之前是GaAs代工龍頭,也不會就不搞GaN 11/17 17:59
→ kuma660224: 因為那是產業趨勢,不做會死 11/17 17:59
推 ian41360: 想請問Astushi大為什麼PA的基板需要半絕緣…看了下pap 11/18 15:12
→ ian41360: er 的結構,應該是怕電流從基板衝出去? 11/18 15:12
推 astushi: 導電基板會造成洩漏的通道 形成substrate loss, 你的gain 11/18 21:31
→ astushi: 被吃掉 RLC就要多串級數補回來 對於體積錙銖必較的系統 11/18 21:31
→ astushi: 而言是很大的損失 11/18 21:31
推 astushi: 這部分可以分商用與軍用來看 商用mini hub體積不會這麼 11/18 21:39
→ astushi: 極端 所以可以犧牲一些體積用GaN-on-Si來達成低成本 軍 11/18 21:39
→ astushi: 用雷達體積很有限 而且往基板漏越多 越容易在基板發熱 11/18 21:39
→ astushi: 穩定性會變差 所以軍規還是優先考慮半絕緣SiC 11/18 21:39
推 astushi: GaN基板最大的問題就是水熱法或HVPE長的雜質太多 不容易 11/18 21:41
→ astushi: 達成半絕緣 就算達成 成本也極高 面積也不夠大 11/18 21:41
推 astushi: 所以有一部分的研究使用AlN陶瓷基板或人造鑽石 效果還比G 11/18 21:43
→ astushi: aN sub好 但還是太貴 且不夠成熟 11/18 21:43
推 ian41360: 感謝astushi大大的指導,軍武版果真臥虎藏龍! 11/18 22:24
→ kuma660224: 所以on SIC軍民兩用 on Si只有民用吧 11/19 08:40
推 astushi: on Si只有民用 為了低成本可以妥協很多性能 11/19 09:01
推 switch: on Si 要把 gain 拉高就是做完 device後把 substrate 挖空 11/19 09:38
→ switch: tsmc的 6" on Si 量似乎都沒起來, vanguard 之前法說說他 11/19 09:39
→ switch: 們的 8"GaN 有秘密武器應該就是AlN之類的陶瓷基板,看看什 11/19 09:40
→ switch: 麼時候可以真正量產。 11/19 09:41
推 switch: 但是半絕緣SiC在高功率RF有個無法取代的優勢就是散熱。 11/19 09:45
推 switch: 除了AlN以外,其他基板 Si,Al2O3,GaN的散熱都不好 11/19 09:48
推 glad850: HVPE雜質會太高?Cree在10幾年前的專利就用HVPE製備S.I. 11/19 12:00
→ glad850: GaN基板了,美國海軍實驗室也有報告,美國蠻多家公司可以 11/19 12:02
→ glad850: 賣,連SBIR都有新創拿到錢,之前聽說是NRL有找到俄國原本 11/19 12:03
→ glad850: 高壓實驗室做鑽石的高手,改作GaN基板好像成效就很好 11/19 12:04
→ glad850: GaN-on-Si或GaN-on-SiC只要是異質磊晶,兩個熱膨脹係數 11/19 12:05
→ glad850: 不一樣,高溫製程中BOW就很麻煩 11/19 12:05
推 ian41360: tsmc 的 GaN on Si 似乎是做電動車 PA 的?可以拿來當 11/19 16:52
→ ian41360: 雷達嗎 11/19 16:52
→ kuma660224: 既然都說只適合民用,幹嘛折騰自己轉軍用 11/19 18:10
→ kuma660224: 有別家提供GaN on SIC. GG在這領域不是霸主 11/19 18:12
推 astushi: 電動車的需求不是PA 是inverter或converter 那跟射頻元 11/19 22:06
→ astushi: 件完全是不一樣的東西。但T也有在研發minihub用的PA 11/19 22:06
推 switch: 哪一家GaN基板已經量產的分享一下吧,還沒量產的話那現在 11/20 14:25
→ switch: 雷達上用的是甚麼? 11/20 14:25
推 switch: 如果GaN基板這麼成熟,Cree自己怎麼不用? 11/20 14:33
推 astushi: 事實上去查連GaN-on-GaN RF的文獻都很少 GaN PA是材料新 11/20 21:43
→ astushi: 但再怎麼樣他還是T/R module 且即便是軍規也是有量的需 11/20 21:43
→ astushi: 求,不可能用那種產能不足的基板做生產 軍規用品功能符合 11/20 21:43
→ astushi: 需求就好 再來是要有穩定的來源與穩定性 11/20 21:43
→ glad850: 這麼好找的資料怎麼還會有質疑 11/21 17:08
→ glad850: 不只Cree、Sumitomo、Mitsubishi、Kyocera、Toshiba、 11/21 17:09
→ glad850: 你真的想買的話多找幾篇給你參考,現在詢價還會不會要出 11/21 17:14
推 glad850: 當然,Nichia也有但是應該沒在賣 11/21 17:23
→ glad850: Cree為什麼不用?因為做LED不需要用到GaN這麼高級的基板 11/21 17:24
→ glad850: 做雷射有GaN基板最好,但是現在誰還在買藍光光碟機~~ 11/21 17:25
推 glad850: 為什麼GaN-on-GaN高頻元件論文少,你覺得美國海軍會拿論 11/21 17:35
→ glad850: 文當KPI嗎?不過還是有幾篇可以看出端倪啦 11/21 17:36
→ glad850: 這個是海軍實驗室應邀演講摘要,裡面有一行 11/21 17:44
→ glad850: "on commercially available GaN substrates" 11/21 17:44
→ glad850: 有些八卦就是從那個會議舉辦地點聽來的 11/21 17:45
→ glad850: 另外有些NRL內部網頁開不了,也縮給有興趣的看標題 11/21 17:46
推 switch: 自己找的資料自己看清楚一點吧,Cree是GaN-on-SiC MMIC的代 11/22 14:15
→ switch: 工跟LED有甚麼關係?industry ARC 的report把on Si/SiC/GaN 11/22 14:16
→ switch: saphire全都算進GaN substrate了,重點是GaN-on-GaN MMIC有 11/22 14:17
→ switch: 人量產嗎?你貼的那些paper 不是power的,就是長晶的,RF的 11/22 14:18
→ switch: 在哪裡? 11/22 14:18
推 glad850: Cree代工是副業,主業是LED,你原本不是說GaN基板沒人量 11/22 21:27
→ glad850: 產,現在轉彎成要量產MMIC才算了? 11/22 21:27
推 glad850: 要看論文很好找,不知道有什麼難的 11/22 21:33
→ glad850: 如果要我證明哪家已經做到MMIC用在雷達這個就真的沒辦法 11/22 21:35
→ glad850: Cree的GaN-on-SiC也是20年前發論文現在才用上 11/22 21:35
推 glad850: 貼那麼多結果你只看你想看的,當作GaN freestanding基板 11/22 21:38
→ glad850: 不存在,這就沒得討論了 11/22 21:38
推 astushi: Cree 把LED業務賣掉了毆~ 11/22 21:44
推 switch: GaN基板我當然知道有,問題是量產的元件沒人用 11/23 08:01
→ switch: 是你說on Si, on SiC 都不能用,所以我才請教你,那量產的 11/23 08:01
→ switch: MMIC到底有哪一家用的是 GaN freestanding 11/23 08:01
→ switch: 請回去看清楚我本來就是說量產的RF元件用的是semi-insuSiC 11/23 08:03