作者Lsamia (samia)
看板MobileComm
標題Re: [新聞] Galaxy Note 6效能無敵了?連記憶體都要比別人強 30%!
時間Mon May 23 18:21:57 2016
※ 引述《Rigaudon (支持htc,支持台灣貨)》之銘言:
: → DiChik : 光聽到10nm就知道在唬爛啊 哪來的? 05/23 17:47
Samsung unveils its 10nm 6GB LPDDR4 DRAM that will be present
in future mobile devices
http://goo.gl/UFKu4M
5/19在深圳公開發表開始量產的
http://i.imgur.com/HwdhqLZ.jpg
不過我覺得這不是重點,
重點是很多人常常會把不同的產品製程拿來混在一起講
我們稱這是28nm,20nm的製程,這些數字
對邏輯產品而言, 指的是電路佈局上的閘極寬度(gate length)
對DRAM產品而言, 指的是二分之一的pitch (spacing + width)
對Flash產品而言,指的是相鄰兩個浮動閘極(floating gate)的距離
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※ 編輯: Lsamia (111.83.94.106), 05/23/2016 18:22:26
→ a19930904 : 寫一下 references齁 既然整段搬過來惹 05/23 18:51
→ DiChik : 感謝告知 @@ 05/23 18:53
推 labbat : <20nm是滿期待的,但是LPDDR4X比較有機會 05/23 19:08
→ GalaxyNote6 : 感謝支持 05/24 00:14
推 notmuchmoney: 還10nm勒 加油好嗎 05/24 00:53