大家好
想請為各位有關這兩個光阻製程上問題
目前我的結構為
第一層:
8um的AZ4620
將pattern後的圖形Cu電鍍起來
第二層:
蒸鍍上一層Cu種子層後
塗布5um的SU-8-5
pattern顯影後的圖形會在第一層鍍起來的Cu上
然後想請問各位的問題在這邊
由於我的SU-8顯影液是使用MicroChem原廠的顯影液
這顯影液會破壞AZ4620
所以我才會在第一層跟第二層中間鋪Cu種子層來擋
而我SU-8的soft bake參數如下
65度C 1min 後 95度C 3min
但我在95度C軟烤不到一分鐘時
第一層4620的表面就會開始收縮皺褶
導致拿來阻擋用的Cu種子層皺褶裂開
所以在顯影SU-8時顯影液會滲漏到下面破壞掉4620
會影響到我之後第二層的製作
目前試過一開始就先將4620烤乾一點
但也是一樣皺褶嚴重沒有作用
所以想請問各位
有沒有甚麼方法能讓我的4620不會收縮皺褶
或者有沒有其他顯影液能當SU-8的顯影液且不會破壞到4620的
目前能馬上取的只有顯影液AD10與AD238
不好意思
麻煩各位了~~~
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