http://photoresist.com/wp-content/uploads/2010/11/az_p4620_photoresist.pdf
最後一頁是轉速厚度對照表。 AZP4620厚度要2x以上轉兩層才叫帥
15um以下轉兩層是自找麻煩
另外spin duration不需要到60秒。30秒就夠了。不然厚度會太薄
依照這個datasheet, 只用hotplate是足夠的。但是要注意有些是建議full contact
等級高的hotplate在加熱盤下方有加裝真空吸附裝置，可以在加熱同時牢牢吸住wafer
相較於許多實驗室的hotplate加熱盤上一堆燒焦沒清乾淨的殘留光阻
wafer放在上面其實根本就懸空的，wafer根本就沒有full contact 加熱板表面與wafer
中間隔的空隙其實少少數micron就會對表面加熱產生巨大的影響
另外最重要的是你曝光機的intensity不是看燈泡幾瓦來決定的。
你要有個可以偵測425/365波長的light meter放在擺wafer的地方。測得真正的
mJ/s.cm^2，這個數字來決定之後的曝光時間。乘以秒數才會是真正datassheet上的數字
※ 引述《jaychou515 (Hoshiya)》之銘言：
: 現在正嘗試用兩層AZ4620 共15um膜厚製作8um線寬。
: 第一層
: 2000轉 / 60秒
: 軟烤110度/ 120秒
: 第二層
: 900轉 / 60秒
: 軟烤110度 / 480秒
: 以350w汞燈曝光20秒 => 過曝，但8um線寬也差不多8um
: 改曝15秒後 => 曝光量不足
: 請問這樣是否是第二層光阻未烤乾?
: P.S. 目前黃光只有hotplate
: 另外想請問4620用曝後烤，會不會有助於光阻的垂直度?
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