推 ken313j: 有洗邊嗎？ 07/29 07:45
沒有，另外我們比較關注的是在晶片中間附近的均勻，
所以邊緣的地方應該比較無所謂
希望中間部分均勻即可
推 cupidboy: 20nm?要擋蝕刻？ 07/29 15:05
我們會塗兩層光阻，先想辦法在外層刻出想要的圖案，接著再用蝕刻液蝕刻內層
也就是蝕刻液吃不掉外層
※ 編輯: jimm2618 (219.70.167.91), 07/29/2018 15:45:43
※ 編輯: jimm2618 (219.70.167.91), 07/29/2018 15:47:29
※ 編輯: jimm2618 (219.70.167.91), 07/29/2018 15:50:49
推 jeffdon2: 20nm除非有RRC不然uniformity一定很差 07/29 19:26
→ jeffdon2: 增加倒上去的光阻量可以稍微改善，但是幫助不大 07/29 19:27
→ jeffdon2: 建議還是要有RRC 07/29 19:27
推 jeffdon2: 可以用手動版的RRC試試看，先倒一些光阻溶劑在wafer上 07/29 19:33
→ jeffdon2: 趁溶劑還沒被甩乾前趕快上PR，這樣應該可以改善 07/29 19:34
→ jeffdon2: 只是厚度會有一些減少，建議用OP量測厚度重新K轉速 07/29 19:35
RRC具體內容是指將光阻溶劑預先倒在wafer上嗎? 剛剛有查了一下
不太確定推文指的RRC是什麼? resist reduction coating嗎?
抑或是RRC是一個裝置買得到? 謝謝j大
※ 編輯: jimm2618 (219.70.167.91), 07/29/2018 20:29:34
推 jeffdon2: 沒錯就是預先將溶劑倒上去，但是一般都是要由機械手臂 07/29 22:28
→ jeffdon2: 精準控制溶劑甩開僅剩少量滯留wafer表面的時間點 07/29 22:29
→ jeffdon2: 所以才說以一般簡易的coater很難做到這件事 07/29 22:30
→ jeffdon2: 通常都是全自動化的track才有可能這樣做 07/29 22:30
推 jeffdon2: 所以我才說這是手動版uniformity會改善，但是WtW 07/29 22:38
→ jeffdon2: 的厚度會有差，人不可能像機械那麼精準 07/29 22:39
了解，我會照這個方法試試看有沒有改善，謝謝j大
※ 編輯: jimm2618 (140.112.54.212), 07/30/2018 15:55:56