各位板友大家好
小弟的製程有一道是TSV(through silicon via)
簡言之就是將silicon挖穿一個洞
孔洞大小約為5-10um, 深1-200um
孔洞需要金屬填滿
目前的想法是電鍍銅進去
電鍍前會先蒸鍍銅的seedlayer
但不確定側壁是否能讓銅附著且孔洞不知道有沒有辦法使用電鍍的方式填滿
因為是做電極用因此還需要做waferbonding
構想是填入銅膏同時達到contact且有黏著的功用
同樣的問題是銅膏是否能完全填滿孔洞
關於電鍍的方式是根據此篇論文 DOI: 10.1038/srep46639
電鍍溶液中還加了suppressor, accelerator, levelling agent
是否在溶液中加入這些添加劑可使得孔洞填得更好呢
那這些添加劑應該怎麼選擇
謝謝！
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