類似的額外電子載體的形成歸因於電子的捐贈 - 稱為“供體效應”(學吸附的H2O分子到Z
nO等氧化物的表面.14-16這是合理的假設由H2O分子誘導的額外電子可以形成具有高電子
濃度的背溝道層，導致更高的負電壓，更低的Vth ，從而耗盡溝道層。)
所以一般mos fet Vth是接近零越理想？
Vth如果是負電壓，負值如果太高是不是更難導通呢？
感謝大家
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