BOE會蝕刻Si3N4嗎？

[joehsu831212 (op Joe)]

請問各位，BOE（BHF）在室溫下會蝕刻利用pecvd鍍出來的Si3N4嗎？
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推 boson5566: 會 泡夠久會全部蝕刻掉 泡很短時間會蝕刻不完全
→ boson5566: 表面看起來爛爛的 SiO2, Si3N4都類似
推 cupidboy: 會 而且速度很快
推 xa380x: ......我就說會啊
→ joehsu831212: 我看有些資料寫室溫下1nm/1min啊……
推 sunchloveann: 理論上品質好的話是不會被蝕刻掉 通常識破洞
推 sunchloveann: 造成BOE滲到氮化矽跟矽的介面而造成peeling
推 jerrychu1211: PECVD的SiNx具有多孔性(較鬆散),故BOE易滲漏peeling
→ jerrychu1211: 而LPCVD的SiNx較緻密,通常還是以熱磷酸去除
→ deepdish: https://i.imgur.com/0xbklPK.png