[情報] 台記憶體材料大突破 體積縮小容量更大

[yuzukineko (閃亮三叔公)]

台記憶體材料大突破 體積縮小容量更大


（中央社記者蔡芃敏台北2019年5月22日電）台灣研發團隊首創鐵酸鉍結合光學技術，讓
記憶體體積可以大幅縮小，同時也降低耗能，成果更登上國際期刊自然材料。

科技部今天舉行「顛覆傳統0與1的世界：下世代光控多元記憶材料研究刊登國際期刊」記
者會，成功大學物理系團隊耗時2年，在記憶體材料鐵酸鉍研究有重大突破，團隊首創光
學技術，結合多鐵性材料鐵酸鉍，讓記憶體體積大幅縮小，研究成果也刊登在國際頂尖期
刊「自然材料」（Nature Materials）。

楊展其說，不過，鐵酸鉍材料可以儲存高達8種邏輯狀態（0到7），大幅度提升儲存資訊
的密度。以相同儲存量為前提，使用鐵酸鉍材料的記憶體體積可以小至100倍。

團隊研究最大突破在於「光撓效應」，利用「光」控制鐵酸鉍中的多位元記憶組態。楊展
其指出，傳統記憶體材料已經不便宜，電路製作又要再花費開銷。現在只要靠光調控鐵酸
鉍的記憶組態，就不需要複雜的電路，也可以縮小記憶體體積。

他也說，相較於現今商用非揮發性記憶體有斷電長時間後會損失資料的問題，多鐵性材料
更加穩定，不需要插電就可以保持記憶，而且就算在攝氏400度的高溫下仍然可以維持記
憶組態。
楊展其表示，簡單來說就是更小、容量更大、更省錢。

不過，楊展其也坦言，因為現在商用演算法都是用二進位、0與1，鐵酸鉍材料距離商用還
有很大長路要走，現在需要全新演算法，不過，在材料開發上已經跨出一大步。（編輯：
鄭雪文）


國立成功大學物理系助理教授兼科技部愛因斯坦計畫主持人的楊展其表示，相較一般傳統
記憶體只能儲存0與1，基礎記憶單元只能靠不斷縮小元件尺寸，才能提高記憶體密度。


https://bit.ly/2Mbn3cK

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→ basacola    : 還不能商用一切都是浮雲
推 frog20605   : 這絕對是一大革命…要是演算法上突破可以8進位轉成
→ frog20605   : 傳統二進位 記憶體效能跟容量會光速成長的…
→ tactical    : 國防用途應該比較優先?
→ tactical    : 美國或中國等先進國家拿到這技術不知是否有用??
推 qwe753951   : 讀寫速度呢？
推 tetani      : 這是要取代記憶體還是ssd的?
→ commandoEX  : 直接當tlc用就可以了?
推 menshuei    : 要把八進位轉二進位很簡單吧，不就是除法電路？
→ kaj1983     : 新材料肯定不便宜，別想著會有佛心價
推 kira925     : 用光....
→ iamnotiam   : 320GB記憶體的時代
推 rtwodtwo    : 啊就用雷射光去把BiFeO3打出不同磁電能態
→ menshuei    : 樓上這樣核心技術一解說好像也沒有甚麼。
→ rtwodtwo    : 就機械硬碟再進化
推 NTUT56      : 讀寫速度呢?
推 a1379       : 嗯嗯跟我想的一樣
→ scarbywind  : 連ram都要找slc了(?)
推 yotama12005 : 這技術也太猛了吧
推 lhhjimmy    : 這是非揮發性記憶體，所以跟Ram沒有什麼關係吧~
推 scaredreal  : 速度呢?
→ lovinlover  : 速度呢?
→ NTUT56      : 根本不用轉換  就查表而已  7直接輸出111
推 acctouhou   : 問題是latency 吧？ 現在大部分記憶體都是卡在這啊
推 ejsizmmy    : 早就可以轉了，從控制器能搞定吧
推 kira925     : 用光就失敗了阿 只能拼容量...
推 andy199113  : 單機1PB時代要來臨了?
推 ctes940008  : ASA:
→ mamamia0419 : 我記得這不算新聞了，但還沒普及
推 exeex       : 現在TLC就是8bit一個單元了
推 menshuei    : 樓上真的欸，而且還不用經過光轉換，效率更高。
→ cancelpc    : 就跟 SSD 用的方式一樣啊,將原本的01訊號改成階梯波
→ cancelpc    : 方式,分出更多的訊號,甚至可以跟著玩3D
→ cancelpc    : n年前號稱大革命的 MRAM,怎麼沒消沒息了
推 scaredreal  : 仔細想一想 這玩意應該是取代BD??
推 DarenR      : 都是雷聲大雨點小的發明
推 GoldRoger   : 很快的, 不要小看阿宅的技術力
推 delaluna    : 跟光有關的東西都很麻煩的... 光電轉換也是需要高
→ delaluna    : 技術成分的電路來實現
→ delaluna    : 驅動寫入需要DAC+雷射 讀取需要photodiode+ADC
→ delaluna    : 這些東西做在記憶體上完全不會省成本...
推 gohow       : 拉基
→ Erik6502    : 存取速度隻字不提。耗電量也不說。
推 k268185     : 現在TLC是3bit/cell才對 2^3 = 8 states
推 twosheep0603: 讀取應該還是電磁記錄 主要卡在寫入要打雷射吧
→ kira925     : 所以就是失敗了阿
推 Nordheim    : 打雷射感覺超耗電
→ x52013      : 等實用化再說
→ alexrow     : RW速度？
推 arcysaint   : 推
推 soto2080    : 反正在軟體層面來說不難
→ shinjikawuru: 還行啦 以前一條SDR-64M 現在都有64G的了 早晚的事
推 hihjk       : I/O?
推 hihjk       : 用奈米屌寫字 訊息量能屌打這玩意多少呢?