[情報] 三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35

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三星明年完成3nm GAA工藝開發 性能大漲35%
http://news.mydrivers.com/1/645/645658.htm

儘管日本嚴格管制半導體材料多少都會影響三星的芯片、面板研發、生產，但是上週三星
依然在日本舉行了“三星晶圓代工論壇”SFF會議，公佈了旗下新一代工藝的進展，其中
3nm工藝明年就完成開發了。

三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都會比台積電要晚一些，導致台積電幾乎包攬了目前的
7nm芯片訂單，三星只搶到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。不過三星已經把目標放在了未來
的3nm工藝上，預計2021年量產。

在3nm節點，三星將從FinFET晶體管轉向GAA環繞柵極晶體管工藝，其中3nm工藝使用的是
第一代GAA晶體管，官方稱之為3GAE工藝。

根據官方所說，基於全新的GAA晶體管結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（
Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強晶體管性能，
主要取代FinFET晶體管技術。

此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生
產。

在這次的日本SFF會議上，三星還公佈了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm
工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

在工藝進度上，三星今年4月份已經在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm芯片，今年內完成
4nm工藝開發，2020年完成3nm工藝開發。


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→ suitup      : 給你錢 快點出
推 ltyintw     : 三星還是沒辦法做可以電很高又很大顆的晶片
→ E6300       : 講得好像只有三星會GAA
→ AmibaGelos  : 等等 7到3是.45x? wat?
→ jior        : 喊都特別快
噓 saimeitetsu : 先檢查灌水灌多少
→ jacky40383  : ppt做得特別快
推 stocktonobrk: 先喊先贏?
推 playbos     : 2099出0.000001奈米
→ chiro1982   : 是吃到GF的口水喔
推 scaredreal  : 3/7=.4285 結果這個號稱.45 lol
推 sm3489      : 灌水製程
→ kimula01    : 7NM都還沒搞定就放話打高空3NM   XD
噓 Avicenna    : 三星三奈米可對比台積電幾奈米？
→ k2450       : 上次iphone6三星14nm被台積16nm打爆
→ AmibaGelos  : 剛剛眼殘@@ 是縮小45% 不是.45x
推 Shauter     : 水果:我相信你 (定價壓在GG70%內)
噓 bosmin100   : 7良率產能先幹掉台GG再來屁
噓 ducksky     : 三星吃屎 最好大爆炸死光光 反正我電腦組完了
→ hankower    : 三星還是乖乖做DRAM顆粒
→ kuma660224  : 10/7/5全都輸，每次輸都喊下個彎道超車
→ kuma660224  : 根本沒啥客戶肯陪你練兵拉良率阿
噓 sigma9988   : 先吹先贏
推 ctes940008  : 剛剛iPhone 11發表會，台積電又賺翻
推 ttykimo     : 還在爬的嬰兒:我要跳了喔
噓 dickey2     : 哈
→ tactics2100 : 良率有超過0.0000003%嗎？
推 geesegeese  : euv都生不出來了
推 abcgo       : 三星果然是正牌韓國娛樂風
→ kuma660224  : 最大原因應該是5nm也輸了，A14也找GG
→ kuma660224  : 只好再拼更下一代3nm
→ kuma660224  : 三星一直希望能搶回蘋果.