[情報] 三星發表業界首個12層3D-TSV晶片封裝工

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三星發表業界首個12層3D-TSV晶片封裝工藝 説明滿足大容量HBM需求
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台灣時間今天上午，三星電子宣佈他們成功研發了新的12層3D-TSV晶片封裝工藝，這是業
界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而之前最大僅為8層。

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目前比較多見的，運用到3D-TSV封裝技術的產品就是HBM顯存。TSV技術全稱矽穿孔（
Through-silicon via），這種技術是在晶片內部通過打孔填充金屬導電材料的方式來實
現多層晶片間的互聯，與傳統的PoP（Package on Package）方式相比，它具有更快的速
度和更高的密度。因此，它對於採用3D堆疊的晶片意義非凡。

而三星在3D-TSV技術領域中一直是處於領先地位的，新的12層DRAM封裝技術需要在整個封
裝中開超過60000個TSV孔，每個孔的厚度不超過一根頭髮的二十分之一。

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採用新的12層3D-TSV封裝的晶片厚度仍然與現在的8層HBM2產品相同，為720μm。保持相
同的厚度使得客戶無需對現有的設計進行修改即可用上新的12層封裝產品，這意味著直接
可以使用更大容量的產品。

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三星電子TSP（測試與系統封裝）部門的執行副總裁Hong-Joo Baek表示：

隨著例如人工智慧（AI）和高性能計算（HPC）等各種新時代應用的普及，確保超高性能
記憶體所有複雜性的封裝技術正在變得越來越重要。而伴隨著摩爾定律達到極限，3D-TSV
所扮演的角色將越來越關鍵。我們希望站在這一最新晶片封裝技術的最前沿。

而三星將憑藉著這項業界頂尖的封裝技術來滿足市場對於大容量HBM的需求—它正在快速
增長。並藉此鞏固三星在高階半導體市場中的領先地位。


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→ cchpt       : 三星的發表會看看就好，等量產再說