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這幾年,台積電在半導體工藝上一路策馬揚鞭,春風得意 能夠追趕的也只有三星了,但是後者的工藝品質一直飽受質疑。 IEEE ISSCC國際固態電路大會上,三星(確切地說是Samsung Foundry) 又首次展示了採用3nm工藝製造的晶片 是一顆256Gb(32GB)容量的SRAM存儲晶片,這也是新工藝落地傳統的第一步。 在三星路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節點 其他則是升級改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。 三星將在3nm工藝上第一次應用GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術 再次實現了電晶體結構的突破,比現在的FinFET立體電晶體又是一大飛躍。 GAAFET技術又分為兩種類型,一是常規GAAFET,使用納米線(nanowire)作為電晶體的鰭 (fin) 二是MBCFET(多橋通道場效應電晶體),使用的鰭更厚更寬一些,稱之為納米片 (nanosheet)。 三星的第一顆3nm SRAM晶片用的就是MBCFET,容量256Gb,面積56平方毫米 最令三星驕傲的就是超低功耗,寫入電壓只需要區區0.23V,這要感謝MBCFET的多種省電 技術。 按照三星的說法,3GAE工藝相比於其7LPP,可將電晶體密度增加最多80% 性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。 或許,這可以讓三星更好地控制晶片功耗、發熱,避免再出現所謂的“翻車”。 三星3nm預計明年投入量產,但尚未公佈任何客戶。 台積電方面,3nm繼續使用FinFET技術,號稱相比於5nm電晶體密度增加70% 性能可提升11%,或者功耗可降低27%,預計今年晚些時候投入試產 明年量產,客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯發科、賽靈思、博通、高通等,甚至據 說Intel也會用。 https://news.mydrivers.com/1/744/744941.htm 沒關係 大家都會用 會翻車一起翻 免驚 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.219.170.105 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/PC_Shopping/M.1615720944.A.0E5.html
E6300 : 漏電幾A不敢寫? 03/14 19:29
genelin : 重點良率咧? 03/14 19:31
yam276 : 漏電大師 03/14 19:32
C13H16ClNO : 反正股價會說話 03/14 19:33
testPtt : 跑分出來再看看 03/14 19:41
dnaspirit : vth又不是越低越好 03/14 19:48
cowaksor : 噴了一堆晶圓 唯一優良的一片晶片 03/14 19:57
jasonbass : 今年的888... 03/14 20:11
ku399999 : 記憶體跟邏輯應該分開看 吧? 03/14 20:13
ltytw : 漏電率多少 03/14 20:20
ltytw : 好的 製造個S888來看看 03/14 20:20
hong414 : 快做 晶片缺死了! 03/14 20:21
sugoi5566 : 來個ISB看看 03/14 21:23
maplefoxs : 8nm都弄不好 03/14 21:53
allyourshit : SRAM就是驗證邏輯閘的第一步 這是任何公司都會走的 03/14 21:59
allyourshit : 第一步 能成功表示有一定的可行性了 03/14 21:59
taco20 : 找到到人封裝嗎 03/14 22:06
a12349221 : 台積用FinFet就做的出來, 03/14 22:10
a12349221 : 三星要用GAA才做的出來, 03/14 22:10
a12349221 : 這個GAP很明顯了 03/14 22:10
RexSu : S888真的笑死 03/14 22:21
twinmick : 最後三星的3nm跟7nm比,然後台積電3nm卻是跟5nm比, 03/14 22:35
twinmick : 這是怕台積電3nm去跟7nm比會讓三星輸到脫褲嗎??? 03/14 22:36
Kain123 : 這個是電不上去的意思? 03/14 23:00
a2935373 : 理論上GAA會比finfet改善漏電 03/14 23:17
ericinttu : 會有多澇賽? 03/14 23:30
DimlyLit : 會過熱嗎?! 03/15 01:04
taipoo : 良性競爭,樂觀看待 03/15 03:42
milkBK : https://i.imgur.com/pD0NaoM.jpg 03/15 03:45
horb : 三星的數據是跟7nm比較。台積是跟5nm比較。記者這麼 03/15 09:09
horb : 那麼貼心 03/15 09:09
horb : 後面量產的客戶明明是台積的客戶。講的不清不楚。記 03/15 09:12
horb : 者真的很愛三星 03/15 09:12
horb : 明明講三星。卻是台積電開始。台積電結尾。還是記者 03/15 09:13
horb : 太愛台積電了 03/15 09:13
chinnez : 容量256Gb,面積56平方毫米 03/15 10:25
Legend871216: 讚歐,是不是最後只能做1台呢? 03/15 12:58
tonyd : 記憶體圖片難度本來就小 邏輯部分才是難點 三爽放S 03/15 15:47
tonyd : RAM 業內來看就是避重就輕騙外行人 他們3nm目前還 03/15 15:47
tonyd : 卡在俄勒岡州談判(要人家州政府給8E鎂補助) 建廠 03/15 15:47
tonyd : 都還沒一撇 你說明年跟台GG一起量產3nm? 03/15 15:47
tonyd : 晶片 03/15 15:47