[情報] 三星發表：以 VTFET 設計實現 1nm 製程

[giorno78 (天晴)]

IBM 和 Samsung 新的電晶體技術可以突破 1nm 以下晶片

https://reurl.cc/emq9DW

IBM 和 Samsung 在美國舊金山舉行的 IEDM 國際電子元件會議上，共同發表名為
Vertical Transport Field Effect Transistors（VTFET）的新晶片設計，是把電晶體以
垂直方式推疊，電流也會以垂直的方式通過，與今天通常是以水平方式擺放的不一樣。但
為什麼要這樣設計呢？據指有兩個主要好處，一是個這能突破「摩爾定律」對於 1nm 晶
片設計的的瓶頸，而更重要的是提升電流並可以減少能源的消耗。

據計算，VTFET 在與 FinFET 電晶體設計相比，能把處理器速度提升兩倍，但同時能耗就
減少了 85%。以實用性來說，手機的續航力會最終延長至充一次、使用一週！甚至如果用
於挖礦 cryptomining 的用途，就能大大減少區塊鍊、加密貨幣等技術對環境的影響。

不過這次 IBM 和 Samsung 並沒有透露什麼時候會以商用產品上應用 VTFET，只是市場上
才不只有他們擁有突破 1nm 的技術，因為 Intel 在 7 月的時候就表示已經完成設計，
同時更目標在 2024 年就開始推出「埃」時代的晶片。

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 1.160.21.92 (臺灣)
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※ 編輯: giorno78 (1.160.21.92 臺灣), 12/20/2021 07:57:09
推 Anderson0819: 哇，那什麼時候良率不會烙賽呢
→ hbj1941     : 理論跟出實驗室是兩回事
→ spfy        : IBM的技術欸 穩了
推 smallreader : 讓挖礦更節能 XDDD
→ Z1000       : 藍色巨人? SONY表示: UMC表示:
推 guogu       : 充一次用一週 哈哈
→ guogu       : 手機最耗電的是螢幕吧
推 alvistan    : 理論交給IBM 量產交給三星
推 ayler88     : 一次唬爛到位 0.1nm不是比較快?
推 pp520       : youtuber 曲博 有專門講一集
→ pp520       : 結論 : 十年前就有的東西
推 sleep123    : 垂直的gaafet
推 ltytw       : 三星製程不錯  只是跟肌肉車一樣多
→ ltytw       : 吃一點電
推 hsparrot    : 量產出來再叫我(挖鼻
推 poi96300    : 所以我說能量產嗎？
推 klo678      : Gg嚇到gg發抖
推 wei115      : 我覺得烙賽的不只良率
→ dieterle    : 會量產嗎？
推 QBRoboT     : 實驗室做得出來不代表工廠能量產啊
推 robin80829  : 大力出奇跡
推 wastetheone : 核融合先商轉跟垂直電晶體量產，誰
→ wastetheone : 先成功?
推 BIGETC      : ptt之神
→ BIGETC      : p
→ sirius65482 : 喔
噓 wres666     : 使用一週？ 聽記者在屁 螢幕不用吃
→ wres666     : 電？
→ Clarkliu    : 好的，讓我們繼續關注天璣9000
→ jim924211   : 那，甚麼時候不會漏尿呢
推 cms6384     : PPT做得不錯
噓 corlos      : 漏尿製程 -.-
→ corlos      : 相信GG Sieg G翁!Sieg G翁!Sieg G翁
推 FreedomTrail: 然後良率掉多少XD
噓 km612tw     : 笑死 漏電多少不敢講
推 yam276      : GG嚇到再買幾桶爆米花回來吃
→ poco0960    : ibm的，穩了
推 cancelpc    : 所以良率多少？
→ cancelpc    : IBM穩了，合法的專利蟑螂
→ cancelpc    : 一個完成設計，一個寫完PPT
→ cancelpc    : 製造不出來、良率一蹋糊塗
→ cancelpc    : 跟政客一樣，畫餅。完成時間都訂在
→ cancelpc    : 下一任
→ cancelpc    : 成功是我的，失敗是下一任的
推 eric2057    : TFET 哈哈哈哈哈
推 saimeitetsu : IBM SOI製程那時候好像也不好吧
推 eric2057    : 理論上 TFET功耗低 SS低 但是Ion也
→ eric2057    : 很低啊 而且量產是一大問題
推 ienet788    : 三星跟IBM的結合體，用的人八字要
→ ienet788    : 夠硬阿
→ geesegeese  : 沒有二代euv就沒有3奈米finfet
→ geesegeese  : 三星真的很會
→ geesegeese  : 一下子gaa 一下子vxx
推 chun0629    : 就跟電池科技一樣 每年都一堆突破
→ chun0629    : 性研發 至今走入商業的一個也沒
→ aasssdddd   : 廠商會把電池做小做薄 一樣一天一沖
推 zzro        : 所以說那個熱量呢
推 tonyhu      : 垂直版的GAA
推 minus983    : 做得出來天網就要上線開始屠殺了..
→ minus983    : .
推 aegis43210  : 問題在檢測，GAA用現行的多重電子束
→ aegis43210  : 就很難檢測瑕疵，垂直的一定更難，
→ aegis43210  : 給封測造成麻煩
→ schula      : 三星藍色巨人，你各位不要太囂張
噓 kashima228  : 他只是改成水平的 沒什麼特別的
推 rwr         : VTFET那麼厲害直接拿到5nm做就好啦
→ karl7238    : 看看就好，同樣是4nm工藝GG的天璣90
→ karl7238    : 00打爆三星的8G1，還能對三星工藝有
→ karl7238    : 什麼期待呢？
→ TryToBe     : GG看到這組合 心裡os應該是覺得穩了
→ TryToBe     : 放著給他自爆就夠了
→ Clarkliu    : ***的4nm就7nm改的 想毀天滅地？
→ gameguy     : 說個笑話，CELL (IBM的東西看看就好
→ gameguy     :  看看就好，真的實用化再說)
→ qazws931    : ***把升級點數都點吹牛的 看看就好
推 neitia      : IBM點數點在實驗室做得出卻無法量產
→ neitia      : 三星點在吹製程做得出量產卻沒良率
→ neitia      : 兩個天作之合
噓 Kowdan      : 哈哈南朝鮮
推 Hazelburn   : 5做不好要做1 聽起來就很幹話
推 cancelpc    : 語畢，哄堂大笑
推 anoreader   : 這不就老東西了...不管三星或台積
→ anoreader   : 能穩定良率量產出來的東西才是真
→ rebai       : 只剩下話大餅的功力了
推 yosora4     : 水喔，能量產再來說好嗎
→ kuma660224  : IBM每一代都最早拿實驗室成果出來吹
→ kuma660224  : 因為它不用負責量產  用成果來圈錢
→ kuma660224  : 永遠有凱子夥伴付錢讓他研發
→ kuma660224  : 事後品質良率拉不起來 IBM不管
→ porkX       : 笑死 就是gaa水平換成垂直的概念而
→ porkX       : 已