推 HDT: 感覺有點脫離物理版版旨，而且感覺是報告內容？ 03/16 06:33
→ speedshuffle: PTT理工學院半導體製程實驗室 03/17 23:11
想請問在PECVD沉積源材料的材料的差別上
使用TEOS 跟 SiH4形成SiO薄膜上有什麼優缺點嗎?
感謝各位大大...
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