小弟最近在讀的文獻是有關同質接面
利用electrostatic doping 的方式形成p-n junction
而目前看到的文獻中為求得該元件的理想因子
其擬合公式都採用schockly diode的方程式
如下：
Ids=
(nVt/Rs)W{(I0Rs/nVt)exp[(Vds+I0Rs)/nVt]}-I0
其中
Ids=量測到的電流
n=理想因子
Vt=thermal voltage
Rs=迴路串聯電阻
W=Lambert W function
I0=逆向偏壓飽和電流
Vds=施加電壓
想請問
1.schockly diode是利用電場傳輸載子，而pn junction是利用擴散的方式，兩者傳輸機制不同，為什麼在萃取理想因子時，是利用schockly diode的方程式去做擬合
，而不是用雙二極體並聯的模型（一個代表擴散電流；另一個是生成-複合電流）作擬合？
2.有關此類方程式的擬合程式，想請問大家有推薦的嗎？又或都是自己寫程式的？
謝謝各位大神們
-----
Sent from JPTT on my OnePlus GM1900.
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 49.215.144.230 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Physics/M.1587090343.A.9C7.html