關於題述的兩個電流，有些疑問想請教各位
1.PN接面中，
雙方多數載子通過空乏區是通過擴散機制形成電流，
順/逆偏會讓內建電位降/升，
讓少數載子在對方家中擴散長度變長形成擴散電流；
但金半接面中，
金半雙方多數載子主要通過熱離子發射向金屬形成電流，
熱離子發射則是能量高於位能障的載子才能發射，
順/逆偏會讓半導體端載子看到位能帳降/升，讓可發射的載子變多/少
是否能樣理解？
2.一般講義PN接面用的圖，都會用以下圖12.2
https://read01.com/0eBaE53.html#.YDpuEmgzayI
(金半也是)
這會讓人理解成"n擴散跨過空乏區到p電子後能量會上升、p飄移到n電子的則會下降"
不知是否正確？
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