作者fragmentwing (片翼碎夢)
看板Physics
標題[問題] 怎麼理解半導體摻雜能帶圖才對?
時間Mon Jan 10 11:57:36 2022
如圖
https://imgur.com/SlSV2tO
很常見的一張描述PN接面的圖
我對這張圖抱有的疑問是為甚麼不會是以本質半導體的費米能階Ei為準?
Ei才應該是那個不會變動的標準吧?
承上，在外質半導體的個別討論中
P型半導體，一般的說法是使Ef往價帶拉近
可是我在想是不是實際上是Ef在動的同時，相對於本質半導體的EC和EF
外質半導體的這兩個數值也會有所變動?
(也就是說不是把上面那張圖單純以Ei做線性變換就沒事了)
那這三者該是怎樣的變動?到底是誰向上誰向下?
知道是增是減後有辦法計算移動幅度嗎?
N型半導體同樣的疑惑
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 42.77.46.108 (臺灣)
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※ 編輯: fragmentwing (42.77.46.108 臺灣), 01/10/2022 12:00:48
推 Leadgen: 請問是在哪本書的圖? 01/10 13:21
→ fragmentwing: 網路上找的 不過包含手邊講義的資料講pn接面都是這 01/10 14:10
→ fragmentwing: 一套 01/10 14:10
→ hexg66: E上下移和摻雜濃度相關，要看固態物理或古老Millman電子學 01/10 14:33
→ hexg66: 若是實際工程應用，能帶如何漂移已不是重點 01/10 14:35
→ hexg66: 必需練到可以感覺電子流電洞流的大小和方向 01/10 14:37
→ fragmentwing: 原來如此 01/11 12:16
推 Landau: 這邊的Ef應該是chemical potential的意思吧 01/12 05:59
→ Landau: 另外n參雜應該會產生電子, 而p應該是電洞，我覺得變動方向 01/12 06:01
→ Landau: 很合理 01/12 06:01
推 jjvh: EF不就是費米能嗎 01/13 15:02
→ kuromu: 那張圖其實是把電位也算進去 01/13 16:09