[新聞] 三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車

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原文標題：
三星電子公佈2及3奈米GAA製程時間表 超車台積電？
                                      (請勿刪減原文標題)  
原文連結：
https://bit.ly/3uQlq6P
                                      (請善用縮網址工具)
發布時間：
2021年10月7日
                                      (請以原文網頁/報紙之發布時間為準)
原文內容：
三星電子於2021年10月7日在其第五屆年度三星代工論壇（5th Annual Samsung Foundry
Forum；SFF）上，公佈3奈米和2奈米（nm）節點製程計劃。

三星電子總裁兼代工業務負責人Choi Si-young表示：

三星新先進奈米技術將採用GAA電晶體結構，首批基於3奈米晶片計劃於2022 年上半年開
始生產，而其第二代3nm晶片預計將於2023年生產。

至於，2奈米作為三星技術路線圖中的新成員，具有多橋溝道 FET（MBCFET）處於早期開
發的階段，預計2025年量產。

今年論壇的主題是“增加一個維度”(Adding One More Dimension)，預計為期多天的虛
擬線上論壇將吸引超過2,000名全球客戶和合作夥伴，三星將分享其願景及代工業務。

三星表示，其獨特的GAA技術多橋通道FET（MBCFETTM）對於持續的製程技術遷移至關重要
。與5奈米製程相比，三星首個採用MBCFET的3奈米GAA節點將面積減少35%，性能提高30%
或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積（PPA）的改進之外，隨著其工藝成熟度的提高，
3奈米的邏輯良率正在接近與目前量產的4奈米技術相似的水準。

三星代工廠不斷改進其FinFET製程技術，以支持具有成本效益和特定應用競爭力的專業產
品。例如，該公司引用了其17奈米FinFET節點。除了FinFET提供的內在優勢之外，該製程
節點還利用3D電晶體架構。因此，與28奈米製程相比，三星17奈米FinFET的面積減少了
43%，性能提高了39%或功率效率提高了49%。

此外，三星正在推進其14奈米，以支持3.3V高壓或快閃型嵌入式MRAM（eMRAM），從而提
高寫入速度和密度，適用於微控制器單元（MCU）、物聯網和可穿戴裝置等應用。三星的8
奈米射頻（RF）平台將有助於在5G半導體市場從低於6GHz擴展到毫米波應用。

結語

三星電子宣布2及3奈米GAA製程量產時間表，似乎與台積電互別苗投，甚至企圖超車台積
電。依據台積電規劃3奈米仍採用FinFET於2022年下半年量產，而2奈米才會採用GAA架構
，預計2025年量產。雖然，三星決心GAA搶先台積電推出，但良率才是利潤關鍵。根據韓
媒報導 (2021.7.4)，三星電子在華城園區廠最先進的 V1 線，仍存在良率難解問題，5奈
米產品的良率仍低於 50%。

對於半導體大廠而言，製程是技術，良率是決定半導體公司能否獲利的關鍵，初期能將良
率維持在八成左右已是非常困難的事情，而台積電的製程良率可以達到九成五以上，可見
台灣晶圓代工的技術水準。


心得/評論：                             ※必需填寫滿20字
三星在代工論壇上公布最新時間表，預計2025年開始量產2奈米晶片，強調其GAA技術，以
突破台積電市場領先地位。



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推 ef863756: 丸子
噓 dergnj: 韓國NO1
推 iamjojo: 三星跟牙膏一直壯膽 笑死
推 hopecity: 良率五成是來送頭的?
推 ship1228: 出新聞就我放心了
噓 lovekyoko: 先講先贏
→ tctv2002: 燒起來
→ fywei: 我覺得他們應該直接宣布2A製程量產
→ fywei: 反正沒正在乎
→ fywei: 沒人在乎
→ HydraGG: 三星跟牙膏只能靠國家機器了
推 vincent5236: 三星是唯一對手 英特爾來亂的可以滾了
推 b325019: 先講先贏
→ fallinlove15: 40% 和 10% 都是低於 50% 說話的藝術
→ fywei: 或是去找英特爾 噴贏的再獲得獨噴的機會
噓 sbob: 想超車的都先翻車了，這麼好抄想騙人
→ fywei: 獲得年度嘴噴王的稱號
噓 hyscout: 韓國跟美國嘴砲王先去打一架啦
噓 kline: 做的出來跟良率是兩回事
→ luche: 來台蓋晶圓廠 加點錢召募賣肝ers 說不定有機會超車
推 soulout: 彎道翻車
→ adagiox: 那一次沒有領先公布== 那一次量率拼過
→ hbj1941: 喊超車都幾次了，那一次是真的
→ tctv2002: 良率雖然輸台積  但溫度絕對贏台積
→ hbj1941: 機台買沒人多，台積asml還駐廠協助修改參數，超三小
推 gabriel: 彎道超車(x) 彎道翻車(o)
推 ajkofqq: GG50
→ ChungLi5566: 先把高通的898做出來好嗎
→ a1106abc:  https://i.imgur.com/I1YeD57.jpg
推 speady: 不敢說良率嗎？
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→ speady: 想騙我的gg嗎
推 icedog122: gg完了
→ teremy: 高通表示...
推 lxf: 三星早就看不到車尾燈
推 seemoon2000: 懶得酸了
推 ljsnonocat2: 晶圓代工的重點: 良率 良率 良率
推 conilai: 跪求教主開示
推 cdzzsa: 三星嘴砲厲害而已
推 O937: 免驚，喊聲壯膽而已
推 HRyan: 應該已經超10次以上了！
推 elmer: 百花爭鳴 讓市值再上去
→ HRyan: 上次蘋果A9全球公測之後再要吹著些就沒什麼説服力了
推 CLisOM: 三星的EUV機台數比台積電少，就算能順利量產產能也有差距
→ CLisOM: ，台積電用熟練的FinFET和三星用不成熟的GAA哪邊出包機率
→ CLisOM: 高
噓 mnhyuiop: 真的超車，你三星就不會破底了
推 pideo: 泡菜看不起我們的大GG
推 lizardc1: 說個笑話 三星超車台積電
推 littlejackbr: 這篇教主不會回，太廢
→ woodsaxo: 良率？
噓 VincentZeda: 良率呢？？？？
推 likekaito: 三星要噴到太空惹
推 supeedada123: 改賣飛盤？
推 jimmyid4: 恩好強
→ coolrock: 美而美超車麥當勞?
推 nextbit: 沒差,經濟部長主動讓出機密資料,超越臺積指日可待
→ appledick: 三星好棒棒
推 gn02384419: 跟牙膏廠你一搭我一唱，嘴巴超車好簡單
推 kanehhh: 遲早看破手腳的
推 apple123773: 123超車好簡單
→ lusifa2007: 嘴巴說都很快
推 edison3333: 感覺很猛 ptt怎麼一片看衰三星 這樣我很怕真的超車
噓 pf775: 三星有技術？
噓 pmes9866: 又是彎道超車 超到填海
→ katanakiller: 又一個嘴巴很厲害的
推 aegis43210: 三星的2nm如果是用IBM的333MTr/mm^2，那還有得一戰
噓 wuyihsien: 技術不用偷的還是不行
→ aegis43210: 不過GG的2nm也延到2025了，代表2nmGAA的難度極高
噓 payneblue: 良率可以看嗎？
噓 howardcb: 誰來削弱三星的記憶體啊，血條超滿的
推 tp6ej04m6: 米國憨國都有國家靠 反觀....
推 notgoodcow: 超車囉~ 坐穩喔~
→ kuma660224: 5nm良率都還不及格 先吹3nm/2nm
推 script: 牙膏跟三爽 真是結拜兄弟呀
→ HFET: digitimes 那圖遠低估某家density 真是以訛傳訛...
推 springman: 現在好像不太在乎三星對自己未來的規劃，說說而已！