Re: [新聞] 台積電穩了！死敵3奈米良率慘況曝光 難

[Severine (賽非茵)]

※ 引述《pp520 (異理啊議!!!)》之銘言：
: ※ 引述《empliu (冬馬黨中央政治局委員)》之銘言：
: : 原文標題：台積電穩了！死敵3奈米良率慘況曝光 難怪訂單全被砍
: : 台積電為全球晶圓代工龍頭，後面有三星、英特爾等追兵緊跟，不過近期有外媒披露三星
: : 的製程良率報告指出，三星4奈米的良率僅35%，3奈米甚至只有10%至20%，種種狀況讓大
: : 客戶高通不得不緊急抽單，轉由台積電進行代工。
: : 外媒wccftech報導，最新報告顯示，三星不只在4奈米量產過程遇到困難，在3奈米GAA技
: : 術也遇到瓶頸，先前該公司雖展現在3奈米GAA技術的突破，但良率僅落有10至20%。
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: : 三星4奈米製程雖然有35%良率，但是台積電4奈米製程的良率高達70%
: 這是利空吧 !!  先假設這新聞是真的
: 現在是 2022，台積電要 2025 才會開始做 GAA
: 也就是說三星 比台積電早 3 年做出 GAA 的產品，而且良率還有 10~20%
: 想想，三星還有三年時間可以仔細摸索 GAA 的特性以，及提升良率
: 三年內不斷利用 DRAM 獲利挹注奶水，研發 GAA
: 三年後，萬一 三星 GAA 真的玩出一片天
: 不要說超越 GG，只要能跟 GG 差不多就可以了
: 高通，輝達  這些廠商一定跑掉，並且 兩邊下單
: 雖然我是挺 GG 的一方，但這篇新聞，我會以利空解讀，感覺上是埋下一個未來的隱憂

幫補一篇舊聞 2022/01

https://ctee.com.tw/news/tech/576509.html
三星拚2奈米2025超車台積 業界卻爆這弱點

先進製程目前僅剩下台積電、英特爾以及三星電子競爭，三星更搶先在2022年上半年量產
3奈米製程GAA技術，台積電則是延用FinFET架構、在今年下半年量產3奈米製程，但業界
爆料，三星無論在良率、客戶關係與效能表現，都不如台積電，但三星提早導入GAA技術
，雙方預計在2025年量產2奈米製程，屆時雙方將同時採用GAA技術下分出勝負。

從過去三星試圖在晶圓代工製程彎道超車的紀錄來看，2007年蘋果推出首款採用ARM架構
設計的A系列處理器，採用三星晶圓代工製程，但在蘋果打算培養第二供應商，2010年才
開始與台積電合作。

直至2014年iPhone 6世代，台積電全拿A8處理器訂單，採用雙重曝刻（Double
Patterning）量產20奈米製程。跳槽到三星的台積電前資深研發處長梁孟松，是帶領三星
從28奈米製程直接跳過面臨困境的20奈米製程，直接採用14奈米製程，並採用FinFET架構
，成功取得本來也該由台積電全拿A9處理器晶片，三星甚至拿到部分高通訂單，當時台積
電則是採用16奈米FinFET製程，一度讓外界以為台積電製程工藝落後給三星。以台積電的
說明來看，推出16奈米FinFET強效版製程（16FF+），由於良率與效能的快速攀升，16FF+
製程已於2015年7月領先業界進入量產，16奈米製程也是台積電首顆FinFET架構的晶片。

然而，三星14奈米製程生產的A9處理器晶片，傳出搭載的iPhone續航力比不上台積電16奈
米製程，雖然蘋果聲稱沒有影響，但還是讓消費者對其產生疑慮，最終A10晶片仍有台積
電獨家拿下訂單，至此之後，三星再無打入蘋果晶片代工製造的行列。

據Digitimes報導，隨著聯電、格芯等晶圓代工廠陸續退出先進製程競爭行列，加上美國
禁令壓抑中芯國際、英特爾想要重返晶圓代工業務並全力衝刺，也有很多阻礙要克服，以
製程良率與產能來看，仍只有台積電、三星可以競爭，尤其以台積電的高良率、客戶合作
緊密與接單表現來看，台積電5/7奈米製程市占率預估高達9成，三星就算擁有高通高階晶
片、NVIDIA RTX 30系列顯卡訂單仍以8奈米製程為主，讓台積電在最新的先進製程擁有壓
倒性競爭能力。

不過，三星仍靠著一站式服務替IT巨頭量身打造晶片，甚至也多次搶下特斯拉的自駕車晶
片，加上在南韓政府傾力挹注資源下，台積電勢必面臨龐大壓力，最近的就在GAA技術，
三星搶先在3奈米製程就導入，台積電則是等到2奈米製程才導入。

台積電總裁魏哲家在去年10月法說指出，台積電3奈米製程(N3)發展符合進度，於2021年
下半年開始試產，並預計2022年下半年量產，強化版的3奈米製程(N3E)預計在N3量產1年
後量產。但報導指出，台積電實際上在3奈米製程推進上面臨阻力，加上3奈米的營收貢獻
要等到2023年上半年才會浮現，導致市場對台積電3奈米製程發展延遲浮現隱憂。

三星3奈米GAA技術信誓旦旦要在今年上半年量產，並說明3奈米技術良率已經逐步貼近三
星4奈米，下一代的3奈米預計於2023年量產，採用MBCFET技術的2奈米製程則是還在早期
開發階段，預計2025年量產。

但實際上，三星3奈米的良率與效能表現仍差距台積電3奈米一大截，甚至取得高通的產品
也是以低價搶單，毛利表現根本比不上，加上國際大廠想要轉單的成本已經變得相當高昂
，用得起的廠商也更追求最佳效能表現，市場傳聞NVIDIA歸來、英特爾新訂單也瞄準台積
電3奈米，基本上台積電競爭優勢可以延續至3奈米製程。

去年11月ITF大會上，半導體產業大腦imec（比利時微電子研究中心）公布的藍圖顯示，
2025年後電晶體架構進入埃米時代，三星在GAA量產技術的著墨所花費的時間上比台積電
領先， IBM在2奈米GAA技術持續推進，按照過往雙方密切合作紀錄，預料三星將獲得助力
，雙方甚至提出垂直傳輸場效應電晶體(VTFET)，突破1奈米以下製程限制。

台積電董事長劉德音也曾指出，台積電2奈米製程將轉向採用GAA架構，提供比FinFET架構
更多的靜電控制，改善晶片整體功耗。台積電也在去年5月宣布，與台灣大學、美國麻省
理工學院（MIT）攜手，發現二維材料結合半金屬鉍（Bi）能達到極低的電阻，接近量子
極限，有助於實現半導體1奈米以下的艱鉅挑戰。

至於英特爾，則是在去年7月公布的最新製程藍圖指出除了針對為Intel 7、Intel 4、
Intel 3正名之外，也透露Intel 20A、Intel 18A 等先進製程，並採用自家研發的GAA技
術RibbonFET，以及晶片背面供電的Power Via 設計，搶先公布了在埃米時代的布局，若
英特爾真的能每年更新製程節點，預料2025年除了是當今先進製程2大巨頭的決戰之外，
更是決定未來晶圓代工領域由誰能搶先在埃米時代稱霸的關鍵戰役。

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反正就是三星因為落後想要彎道超車,而趨於領先優勢的TSMC想要穩穩打.
而三星用低價搶來的練功單只能吸引試水溫或是在TSMC搶不到產能的客戶.

至於這幾家對於未來製程的研發則是都沒少過,未來還有來自I皇的競爭(前提是能成真).

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→ xxgogg      : 讓子彈再飛一會兒
推 IUOIUOIUO   : 標題看成穩死= =
推 daisy77117  : 搶到客戶也只是暫時的 最終回歸本質
也未必,有些人就是想押寶看看,押錯走人而已
推 fmp1234     : 想彎道超車？不要再漏尿了。
這點可以看到NVDA 3090漏電情況..
※ 編輯: Severine (118.169.231.21 臺灣), 04/20/2022 08:54:07
推 basterds    : 三星GAA的資料先查有沒作假
推 stosto      : GAA比台積領先沒錯啦，畢竟也算第一個開始做產品，
→ stosto      : 但技術領先的論點就…..
推 aegis43210  : 三星的練功單比GG和i皇少很多