[新聞] 日韓廠以併購或合作方式加速切入功率半

[ynlin1996 (.)]

原文標題：
日韓廠以併購或合作方式加速切入功率半導體

原文連結：
https://bit.ly/3w476Zf

發布時間：
2022/5/4

記者署名：
科技產業資訊室 (iKnow) - Kyle

原文內容：
2022年4月底，接連發生廠商以併購或合作夥伴的方式，進軍功率半導體的SiC和GaN功率
元件市場。

首先，韓國第三大企業集團SK Group的投資型控股公司SK公司將收購生產SiC的Yes
Powertechnix。通過額外注資約1200億韓圜（約9500萬美元），SK公司表示將收購Yes
Powertechnix 95.8%的股權和管理權。

SK通過收購Yes Powertechnix，它將能夠在韓國首次建立從晶圓生產到SiC功率半導體設
計和製造的價值鏈。其實，SK集團的半導體晶圓部門SK Siltron於2020年收購了杜邦的
SiC晶圓業務。Yes Powertechnix可以通過SK Siltron獲得穩定SiC晶圓的供應。

其次，日本電裝株式會社（DENSO）和聯電日本子公司USJC共同宣佈新的合作計劃，將在
USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體。

DENSO將提供其系統導向的IGBT元件與製程技術，而USJC則將提供12吋晶圓廠製造能力，
並預計在2023年上半年，以IGBT製程在12吋晶圓廠中進行量產。該項合作已獲得日本政府
經濟產業省的必要性半導體減碳及改造計畫的支持。

第三，日本半導體IDM大廠羅姆（Rohm）和台灣電源管理系統公司台達電締結戰略性合作
夥伴關係，將攜手研發GaN功率半導體。

通過將台達的電源元件開發技術與Rohm的電源開發和製造專業知識相結合，兩家公司正在
尋求開發針對各種電源系統優化的600V GaN功率元件。

事實上，在過去幾年中，隨著終端應用對功率元件效率的要求愈來愈高，SiC和GaN技術在
半導體產業中的應用愈來愈多。畢竟，與矽技術相比，SiC和GaN等新材料具有明顯的優勢
。它們可以承受高電壓彈性，實現更快的開關，在高溫下工作。其亦可通過更低的傳導電
阻，可以減少熱量和功耗，從而提高效率且節省能源。

根據市場分析師Fact.MR預估，2022年全球SiC和GaN功率半導體市場預計將達到8.84億美
元，到2032年需求將超過69.5億美元，也就是說，在2022至2032年期間的年複合成長率為
23%。

不過，兩者仍是有一些差異，它們分別適用於不同類型的應用。SiC比GaN能在更高的電壓
下工作，但它需要更高的柵極驅動電壓。另一方面，GaN的開關速度更快，但工作電壓比
SiC略低。在這兩種寬能隙元件中，SiC擁有更大的市場佔有率，因為近年來SiC晶圓基板
品質的提高，使得其能獲得更大直徑的晶圓，因此，大電流、低成本的設備已經問世，並
開始用於各種設備。


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一般來說，SiC與GaN的區隔市場以耐受電壓600~650伏特為界，高於此一區間的應用是以
SiC為主；低於此一區間的市場則是以GaN為主。SiC及GaN元件的應用範圍廣，不少日韓廠
商為了加速發展及鞏固地位，紛紛尋求以併購或合作的方式搶占市場，其中羅姆和台達電
合作發展GaN半導體。



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推 billy56     : 第三代半導體
→ YLTYY       : 救命
→ ben745018   : 確定不會打架？
→ Vitaceae    : 台廠IGBT比價錢輸中國比技術輸美國
→ Vitaceae    : 只會趁貿易戰蹭 下去
推 capssan     : 狼速笑嘻嘻 新廠已經在投產了你們才在準備起步
→ laechan     : 抱歉,不看好,日韓同床異夢合久必分
→ laechan     : 去併購外廠必然面臨良率, 成本, 工會問題
→ transfight  : QQ IGBT價錢競爭不過中國……
推 whc760123   : 一堆沒見過世面的沒聽過羅姆 呵呵