[新聞] 三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

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原文標題：

三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

原文連結：

https://cn.yna.co.kr/view/ACK20240613002100881

發布時間：

2024年 06月 13日 15:03

記者署名：

劉羽安

原文內容：

韓聯社聖何塞6月12日電 三星電子2027年將引入尖端晶圓代工技術，推出兩種新工藝節點
，加強跨越人工智慧（AI）晶片研發、代工生產、組裝全流程的AI晶片生產“一站式”服
務。

三星電子12日在美國矽谷舉行“2024年三星代工論壇”，公佈了涵蓋上述內容的半導體技
術戰略。三星電子正通過封裝晶圓代工非記憶體半導體和高頻寬記憶體（HBM）的整合AI
解決方案致力於研製高性能、低能耗的AI晶片產品。據此，與現有工藝相比，從研發到生
產的耗時可縮減約20%。

值得關注的是，三星電子計畫引進尖端晶圓代工技術進一步強化AI晶片生產水平。具體來
看，三星2027年將在2奈米工藝中採用背面供電網路（BSPDN）技術（製程節點SF2Z）。該
技術可將晶片的供電網路轉移至晶圓背面，與訊號電路分離，從而簡化供電路徑，降低供
電電路對互聯訊號電路的干擾。若在2奈米工藝中採用該技術，不僅能提高功率、性能和
面積等參數，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現商業
化的先例。

另外，三星電子2027年還計畫把低能耗且具有高速資料處理性能的光學元件技術運用於AI
解決方案。2025年，三星電子將在4奈米工藝中採用“光學收縮”技術（製程節點SF4U）
進行量產，使晶片更小，性能更佳。

三星電子方面表示，AI時代最重要的就是高性能、低能耗晶片，將通過和AI晶片適配度最
高的環繞式柵極工藝（GAA）、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決
方案。（完）


心得/評論：

三星今天在三星代工論壇公布最新的技術路線圖

還有AI一站式解決方案

https://i.imgur.com/hybDTa8.jpg
https://i.imgur.com/n6u1cGf.jpg
https://i.imgur.com/ZkAw59G.jpg

今年下半年量產第二代3nm(SF3)

2025 SF2

2026 SF2P SF2X(HPC / AI 應用)

2027 SF1.4 SF2A(車用) SF2Z(HPC / AI 應用加上背後供電技術)

今天三星電子收盤價78600 +2.75%

罷工好像影響不大?

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※ 編輯: madeinheaven (36.225.30.187 臺灣), 06/13/2024 19:11:34
推 h75221      : 積積可危
→ yen10619    : 記憶體公司別吵
→ saes0001    : 彎道超車
推 dickey2     : 良率不佳，都被發哥超車了
→ joe0934     : 2330要被超車了
推 TameFoxx    : 積積笑而不語
推 horseorange : SF2P>X>Z&A 三星啊 這順序你要大家怎麼懂
推 ajkofqq     : 三星加油  打敗台積 再創奇蹟
推 rbull       : 改名超車大法
推 ginsengwolf : 丞相 2330 危矣!
噓 oil01       : 聽三星嗆要超車，過10年了…沒成功過
→ aegis43210  : 3GAP沒辦法成功的話，其他都是嘴砲
推 wsx26997785 : 韓國精英都去醫學院了  誰在跟你輪班
→ jceefailurer: 好，快來搶單
→ zhi5566     : 5nm以下晶圓垃圾等級 真的不用在騙自己
推 amos30627   : 3奈米GAP去哪了