Re: [新聞] 三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖

[james0326123 (土城阿信)]

這篇新聞藏了一個重點

三星HBM通過測試了
終於啊老黃殷殷期盼著

什麼兩奈米的嘴砲話就別看了

三星只要通過記憶體測試他就能跟SK平起平坐
甚至以三星的量產能力

下半年會給予非常大的營收
我相信今天三星就是漲這個

台股中跟三星記憶體最有關係的就是大中華三星通路商 擎亞

他也橫盤整理一段時間了
今天尾盤硬拉到平盤
昨天也是十二點過後硬拉一塊多

明天掛漲停不知道買不買得到






※ 引述《madeinheaven ()》之銘言：
: 原文標題：
: 三星電子公佈引領AI時代半導體技術路線圖
: 原文連結：
: https://cn.yna.co.kr/view/ACK20240613002100881
: 發布時間：
: 2024年 06月 13日 15:03
: 記者署名：
: 劉羽安
: 原文內容：
: 韓聯社聖何塞6月12日電 三星電子2027年將引入尖端晶圓代工技術，推出兩種新工藝節點
: ，加強跨越人工智慧（AI）晶片研發、代工生產、組裝全流程的AI晶片生產“一站式”服
: 務。
: 三星電子12日在美國矽谷舉行“2024年三星代工論壇”，公佈了涵蓋上述內容的半導體技
: 術戰略。三星電子正通過封裝晶圓代工非記憶體半導體和高頻寬記憶體（HBM）的整合AI
: 解決方案致力於研製高性能、低能耗的AI晶片產品。據此，與現有工藝相比，從研發到生
: 產的耗時可縮減約20%。
: 值得關注的是，三星電子計畫引進尖端晶圓代工技術進一步強化AI晶片生產水平。具體來
: 看，三星2027年將在2奈米工藝中採用背面供電網路（BSPDN）技術（製程節點SF2Z）。該
: 技術可將晶片的供電網路轉移至晶圓背面，與訊號電路分離，從而簡化供電路徑，降低供
: 電電路對互聯訊號電路的干擾。若在2奈米工藝中採用該技術，不僅能提高功率、性能和
: 面積等參數，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現商業
: 化的先例。
: 另外，三星電子2027年還計畫把低能耗且具有高速資料處理性能的光學元件技術運用於AI
: 解決方案。2025年，三星電子將在4奈米工藝中採用“光學收縮”技術（製程節點SF4U）
: 進行量產，使晶片更小，性能更佳。
: 三星電子方面表示，AI時代最重要的就是高性能、低能耗晶片，將通過和AI晶片適配度最
: 高的環繞式柵極工藝（GAA）、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決
: 方案。（完）
: 心得/評論：
: 三星今天在三星代工論壇公布最新的技術路線圖
: 還有AI一站式解決方案
: https://i.imgur.com/hybDTa8.jpg
: https://i.imgur.com/n6u1cGf.jpg
: https://i.imgur.com/ZkAw59G.jpg
: 今年下半年量產第二代3nm(SF3)
: 2025 SF2
: 2026 SF2P SF2X(HPC / AI 應用)
: 2027 SF1.4 SF2A(車用) SF2Z(HPC / AI 應用加上背後供電技術)
: 今天三星電子收盤價78600 +2.75%
: 罷工好像影響不大?

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→ Leo4891     : 還沒吧  只是多一個整合HBM來吸引客戶下單
→ Leo4891     : 雖然三星遲早會過的啦
→ payneblue   : 通過測試不代表會用 SK合作台積電就是要吃掉這塊
推 aaa80563    : Call 訊
推 TameFoxx    : 這也能扯 哈哈
→ bluehand    : 建議先去確認一下三星的HBM會不會交給代理商交易。
推 aegis43210  : 蘇嬤等三星HBM很久了
推 cecille     : 三星原先的堆疊法行不通，要換成跟SK 一樣的材料跟
→ cecille     : 做法才行。就算有內鬼偷資料，我是不信可以這麼快
→ cecille     : 上手啦
推 LANGUNG     : 三星在台灣的通路商 至上 有說今年第四季或明年 HB
→ LANGUNG     : M會開始貢獻營收