[新聞] 三星的逆襲！大摩：HBM4技術領先提前爆發

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原文標題：

三星的逆襲！大摩：HBM4技術領先提前爆發 明年獲利將衝150％

原文連結：

https://www.ctee.com.tw/news/20251124701136-430704

發布時間：

2025.11.24  14:45

記者署名：

方明

原文內容：

摩根士丹利（大摩）發布最新報告指出，三星電子在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術追
趕已全面完成，不僅HBM3e已向所有AI計算客戶出貨，下一代HBM4亦進入多重資質認證流
程，首批結果預計將於12月初出爐，將成為三星股價的重要催化劑。

大摩表示，三星憑藉1c DDR5前端技術、4nm邏輯基礎晶粒與低功耗優勢，在HBM4產品表現
與高速>11Gbps規格上具技術領先地位，加上涵蓋DRAM、代工與封裝的端到端生產能力，
有望快速擴大市占。

在供應面，三星DRAM有效產能達50萬片、月總產能約65萬片，遠超競爭對手，使其再度掌
握記憶體市場主導權。DRAM訂單履約率目前僅約70％，能見度已延伸至2026年上半年。

報告也指出，儘管三星在供給端握有龐大優勢，但公司管理層刻意採取「更理性」策略，
不一味追逐市場熱潮，而是選擇與關鍵客戶合作，按照真實需求調整供給；旗下P4廠房超
過10萬片/月的設計產能，更為DRAM與代工兩大業務預留充足擴張空間。

此外，三星代工業務亦出現回溫，2nm製程接獲多筆訂單，利用率改善帶動獲利回升，雖
然產量仍需逐季提升，且尋求特斯拉以外的大客戶仍是當前首要任務，但大摩認為三星代
工的整體前景「明顯好轉」。

大摩預估，在供給吃緊的環境下，三星具備更強的定價能力，2026年每股盈餘（EPS）將
達14,464韓元，較目前市場共識的9,800韓元高出將近50％，若以2025年為基期，獲利更
有望暴增超過150％。



心得/評論：

三星電子只用兩季的時間就重返記憶體龍頭寶座

現在大摩報告指出HBM4技術領先

說明三星電子的研發方向正確

DRAM方面產能遠超競爭對手並且供不應求訂單履約率約70%

AI方面根據這篇
https://bit.ly/3LXS03g

節錄:

咸（Ham）大師表示：「在端側（On-Device）AI中，最大的瓶頸是記憶體頻寬和儲存裝置
的存取速度。」他說：「我們正在開發能智慧地調節記憶體與運算之間平衡的最佳化技術
。」
例如，並非把所有資料都放進記憶體中，而是設計成只在需要的時候才載入，藉此提升效
率。

咸大師補充說：「三星研究院已具備能讓參數規模達 300 億（30B）、模型大小超過
 16GB 的生成式模型，在不到 3GB 記憶體下運行的技術水準。」


咸明柱大師表示：「在端側（On-Device）AI時代，核心競爭力在於如何用相同的資源提
取出更高的效率。能在小小的晶片裡實現最大的智能，就是我們應該追求的技術方向。」

目前大多數大型語言模型都以「Transformer」架構為基礎。Transformer 會一次性檢視
整個句子並計算詞與詞之間的關係，雖然在理解語境方面十分優秀，但其缺點是：句子越
長，計算量會呈指數級成長。

咸明柱大師指出：「為了克服 Transformer 架構的限制，我們正在檢討各種技術途徑，
同時以 ‘在實際裝置中能有多高的效率’ 為核心進行評估。」他強調：「我們的目標不
只是改善既有方法，而是引入全新的方法論，打造『下一階段的架構』。」

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推 XXXXCOW     : 都給你講
噓 joshddd     : 又沒泡沫了 都你喊就好 尚書大人
推 GingFreecss : 台灣不知道為什麼做不出來
→ ohya111326  : 海力士被彎道超車?
→ maimss      : 記憶體起飛！
推 q8977452    : 三星的彎道超車幾次囉 這次是真的嗎...
推 ru04hj4     : 三星記憶體一直都很強啊
推 joshddd     : 我猜是用稀疏矩陣算法 先計算被活化參數位置然後套
→ joshddd     : 用
→ fallinlove15: AI又沒泡沫了？
推 james80351  : 脆上好像有人說海力士的HBM4要rework
噓 merom       : 大摩：我買完了 大家可以進場了
推 Pipline     : 抄完底沒泡沫啦
推 poeoe       : 韓國太爽了 跟著這波AI起飛
推 carbooming  : 收到 全力做多gg
推 as6633208   : 讚讚
→ shannienie  : 大摩就是出貨
噓 tsukuyomii  : 三星還是放棄晶圓代工專心搞你的記憶體吧
→ olozil      : 怎麼聽起來HBM沒什麼技術難度??
推 tony890415  : D1c看起來有那麼回事
推 lc85301     : 反觀
推 labbat      : 彎道超車大成功，拓海
→ as6633208   : 衝衝衝
推 kotorichan  : 有$可以支援晶圓代工
→ kivan00     : 韓國記憶體就很強 而且已經規畫HBM要上行動裝置
→ buttery     : 反正都要送到台灣給台GG封裝，三星產量越多越好
噓 pf775       : 還不是被臺積電屌打
→ buttery     : 不過海力士跟美光居然落後了，不可思議。
→ akaiisme00  : 三星報導先質疑
推 Terry2003xx : 前兩天有爆料設計缺陷
推 chang0453   : 創意繼續噴
推 northsoft   : 台灣的記憶體為什麼打不過？
推 rkilo       : 這次比之前有可能多了，畢竟三星記憶體本來就強
推 war02090318 : 這次三星hbm4強到連自己人都嚇到
→ yunf        : 又是兩個字的記者
→ yunf        : 突然覺得台灣記者素質變好了
推 joeshiu     : 你說得都對
→ yunf        : 4nm工藝超屌台廠無法
→ yunf        : 他們還制定標準
→ yunf        : 光看到這文字就快高潮了 ai將無比快的抵達戰場
→ yunf        : 台g沒產能了
→ springman   : 這麼厲害？！這次不是韓媒嗎？我不想買至上了。
推 Z9          : hbm 4目前南亞科做的出來嗎？
推 fluffyradish: 不要再殺MU了QQ
→ yunf        : 他不授權給你，你也沒辦法做