[新聞] HBM技術路線圖曝光！三星電子：2026年出

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HBM技術路線圖曝光！三星電子：2026年出貨由HBM4主導 HBM5將採2奈米製程

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發布時間：

2026-03-19 05:50

記者署名：

陳韋廷

原文內容：

韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局，在 HBM4 今年正式進
入量產的同時，已將目光投向更遠一代產品，打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2
奈米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶
體市場的強勢擴張意圖，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。

綜合《韓聯社》、《ETNews》與《SEDaily》報導、三星記憶體開發負責人、副總裁
 Hwang Sang-jun 在輝達 GTC 大會上披露了詳細規劃。他明確表示，HBM5 的基片將採用
三星晶圓代工的 2 奈米製程，較 HBM4 及 HBM4E 所用的 4 奈米製程實現跨代升級，以
滿足下一代 AI 工作負載對記憶體性能的更高要求。此舉雖讓成本上升，但為達成 HBM
的目標性能，引入先進製程已成為不可避免的技術路徑。

產能目標方面，Hwang Sang-jun 透露，三星今年擬讓 HBM4 在全部 HBM 出貨中的佔比超
過 50%，同時整體 HBM 產量較去年提升逾三倍。HBM4 今年才正式進入量產階段，這一積
極目標顯示三星正全力擴充產能來匹配 AI 晶片市場對高頻寬記憶體持續攀升的需求。若
此計畫落實，將對全球高端 DRAM 市場供應格局產生實質影響。

在 HBM5E 層面，技術藍圖更為前瞻。據披露，該產品將以 1d DRAM 作為核心堆疊存儲，
相較於 HBM4 及 HBM4E 所採用的 1c DRAM 再度升級。目前 1d DRAM 仍處於三星內部研
發階段，但知情人士透露已取得較好的性能表現與測試良率，顯示出向量產推進的積極信
號。

除記憶體業務外，三星正通過代工 Groq 3 推理晶片擴展在 AI 加速器產業鏈中的定位。
Groq 3 正在三星平澤園區生產，量產目標定於今年第三季底至第四季初，當前訂單量已
超出預期。

Groq3 裸片面積超過 700 平方毫米，每片晶圓僅可切出約 64 顆晶片，遠低於通常的
 400 至 600 顆。該晶片約 70% 至 80% 的面積由 SRAM 構成，可在片上完成快速推理運
算，無需依賴外部 HBM。

市場分析指出，三星代工 Groq 3 LPU 晶片被視為其成為下一代 AI 加速器全棧平台核心
合作伙伴的重要標誌。在三星晶圓代工部門進入輝達供應鏈之後，三星的角色已從單純的
記憶體供應商，延伸至 LPU 製造領域，與輝達生態系統的合作深度進一步擴展，此舉意
味著三星正從零件供應商朝著全棧式 AI 解決方案提供者轉型。

這一戰略轉型恰逢 AI 計算需求爆發的關鍵時期。隨著大模型和生成式 AI 應用快速普及
，對 HBM 和專用推理晶片的需求呈現指數級增長。三星通過記憶體技術迭代與代工業務
擴張的雙輪驅動，正在構建從記憶體到計算的完整 AI 硬體生態體系。

觀察人士認為，三星的佈局反映了半導體產業垂直整合的趨勢。通過將先進內存技術與晶
圓代工能力相結合，三星有望在 AI 晶片市場獲得更強的話語權。

不過，這一戰略也面臨諸多挑戰，包括技術研發的高投入、產能擴張的執行風險，以及日
益激烈的市場競爭。

隨著 HBM4 量產爬坡和 HBM5 技術開發同步推進，三星在高階 AI 記憶體領域的領先優勢
有望進一步擴大，而透過代工業務切入 AI 推理晶片市場，則為其打開了新的增長空間。
該公司的轉型成效將對全球半導體產業格局產生深遠影響。


心得/評論：

SK海力士HBM4 基底晶片還在用台積電12nm

三星HBM4和HBM4E基底晶片則是用4nm 性能遠超SK海力士

現在確定三星HBM5基底晶片採用2nm HBM5E則是用上1d DRAM

除非SK海力士也用上台積電先進製程 不然根本看不到三星車尾燈


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推 TomRiddle   : 請問印度阿三美光呢
推 handfoxx    : 記憶體三星要一桶漿糊了….
→ aegis43210  : 現在蘇嬤全面擁抱三星，使三星沒有後顧之憂了
→ aegis43210  : 但三星問題仍是良率，用2nm性能是更好，但量出不來
→ aegis43210  : ，訂單可能做不完
推 audic       : 三星的兩奈米….恩，看來台積電兩奈米又增加一堆客
→ audic       : 戶要搶了
推 adsl12367   : 可能要先解決罷工
推 alphasem    : 印商美光的base die 也是找台g吧
推 arnold3     : 三星太強了 啥都能做到頂
推 faelone     : 三星兩奈米的良率，不會要來台積電跪吧
→ wicer5566   : 聽起來散熱就很爛
推 thewid      : 另外兩家會找台積代工….不用擔心這個
噓 yunf        : 那麼貴到底誰在買？不是先出HBM4e嗎？
→ yunf        : 有終保嗎？
推 Sianan      : 2奈米是base die啦 美光海力士直接跟GG合作用N2 絕
→ Sianan      : 對屌虐三星的2nm
推 Jaspercool  : 三星2nm不是還有特斯拉的貨要交嗎 記憶體也搞
→ Jaspercool  : 現在還有罷工 真的來得及交貨哦
推 janies7890  : 川顧：韓國偷走了美國的記憶體......
推 selvester   : 妥善率一直堪憂的蔥
推 fantasyscure: 我就問TSM怎輸？
推 ChikanDesu  : 00735就對了
推 kimi7812    : 兩奈米 你的良率是最大問題
→ Gundam77    : 貨源減少，想要的加錢啊
推 hc20016     : sk mu 都抱gg大腿
→ mainsa      : 三星哪會怕什麼罷工 還不就要加薪或獎金而已 看美
→ mainsa      : 光上季賺那麼多 三星只會更多 拿一小部分出來砸在
→ mainsa      : 工會面前輕鬆搞定吧 三星員工有10萬人 一人多砸5萬
→ mainsa      : 鎂大概50億而已 今年少說賺五百億起跳 應該不可能
→ mainsa      : 給不起
→ m10112256   : GG又要崩了
噓 a8932325566 : 三星良率你敢信？
→ luche       : 不過三星一旦處理好 產品就能綁住記憶體
→ luche       : 台積電該想個辦法應付記憶體
推 rxsmalllove : 問題是現在的擴張已經到了三星記憶體不能不用的地步
→ luche       : 剛剛查一下台積電有客製hbm
→ fallinlove15: 兩奈米良率低 hbm也是 兩個疊加 東西做得出來？
→ fallinlove15: 粗估七成都要報廢
推 Erechtheus  : 工會就是配合抬價的
推 soon55555   : 直接拒絕封裝三星產品外包的也不行不就好
推 poeoe       : 三星和海力士靠HBM賺翻了 AI時代的贏家
→ poeoe       : 推論時代記憶體用量只會越來越多 HBM/NAND 就是主導
→ poeoe       : AI推論階段的重要資源