[新聞] zHBM！三星公佈全新3D記憶體路線圖，力

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zHBM！三星公佈全新3D記憶體路線圖，力爭在AI技術領域取得領先

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https://wallstreetcn.com/articles/3778689

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08-05 05:17

記者署名：

鮑奕龍

原文內容：

三星電子正大力宣傳其最先進內存硬體在性能和能源效率方面的提升，以期在競爭中超越
SK海力士和美光科技。

當地時間8月4日，三星電子在FMS年度儲存產業高峰會上，正式宣布了zHBM和zNAND-O兩款
概念產品，以及業界首款採用晶圓鍵合技術、堆疊層數超過400層的V10 BV-NAND。

其中，zHBM將高頻寬記憶體直接垂直堆疊於AI加速器晶片之上，效能預計約為下一代HBM5
的8倍。

上述技術發布正值記憶體產業競爭白熱化之際。華爾街見聞提及，SK海力士攜手閃迪在大
會上，聯合發布高頻寬快閃記憶體（HBF）全球首個標準規範。

HBF技術定位於高頻寬記憶體（HBM）與固態硬碟（SSD）之間的新型儲存層級，旨在同時
解決AI推理場景下的頻寬瓶頸與容量擴展難題。

zHBM，顛覆傳統封裝架構

zHBM是此次發布中最受市場關注的技術願景。

在現有設計中，HBM記憶體堆疊與AI晶片透過矽中介層並排整合於同一封裝內，業界通常
稱為2.5D封裝。 AMD、英偉達等公司均採用此方案用於高階AI應用。

三星的zHBM則打破了這個範式，將HBM直接垂直堆疊於AI加速器晶片之上。

三星表示，透過大幅縮短資料在AI處理器與記憶體之間的傳輸距離，zHBM可提供更高頻寬
和更優異的能效，滿足大規模AI訓練與推理對超高速資料處理的需求。

根據三星揭露的規格，結合下一代晶圓鍵合技術，zHBM的記憶體密度可達HBM5的10倍以上
，能源效率提升3倍，熱阻降低逾50%。

該技術還支援客製化IP集成，可在記憶體與AI加速器之間的中間層嵌入客製化設計，進一
步擴展記憶體容量並提升加速器效能。

三星將該技術的量產時間預期設定在2029年前後，目前尚未就HBM5或zHBM給出明確的量產
時間表。

同時，三星表示已於今年2月率先實現基於1c DRAM製程及4奈米基底晶片的HBM4量產，並
於5月首批向全球客戶出貨HBM4E樣品。

對標HBF，面向邊緣AI的高頻寬快閃記憶體方案zNAND-O

三星同步推出了zNAND-O，這是該公司基於V-NAND技術構建的下一代高性能NAND解決方案
，目標量產時間為2028年，將提供四層和八層兩種版本。

從技術路徑來看，zNAND-O與SK海力士和閃迪先前開發的高頻寬快閃記憶體（HBF）概念相
近，同樣採用TSV和UCIe介面。

但根據三星官員介紹，兩者的應用定位有本質差異：

HBF的設計初衷是在伺服器端填補AI加速器旁側的記憶體分層空缺，而zNAND-O的定位是在
端側裝置中儲存大型模型，以便與NPU互動。

三星表示，zNAND-O憑藉高空間效率、改善的I/O效能和低延遲特性，專為支援即時、資料
密集型AI應用的邊緣AI環境而最佳化。

V10 BV-NAND，業界首款400層以上晶圓鍵合快閃記憶體

三星此次也發表了V10 BV-NAND，這是其史上首款採用晶圓鍵結（Bonding V-NAND）架構
的3D NAND產品。

距離三星於2013年Flash Memory Summit上發佈業界首款V-NAND技術，時隔13年後，這一
里程碑更新正式亮相。

V10 BV-NAND堆疊層數超過400層，透過晶圓鍵合技術垂直堆疊儲存單元，儲存密度較上一
代V9提升約58%。

此外，該產品在讀取、寫入和I/O性能方面均優於前代，旨在為未來AI系統和應用提供高
性能、大容量的NAND支撐。

全端AI記憶體佈局，從HBM到PIM與企業級存儲

除上述前沿概念產品外，三星還在本次展會上系統性展示了其現有AI記憶體與儲存產品組
合及路線圖，涵蓋HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM以及PM1763等產品線。

其中，LPDDR5X-PIM是業界首款搭載存算一體（Processing-in-Memory）技術的LPDDR內存
，支援在記憶體內部直接執行資料處理，可同時提升資料搬運效率與功耗表現。

企業級儲存方面，三星展示了以AI資料中心日益增長的儲存需求PM1763和BM1773解決方案
。

身為全球唯一在記憶體、晶圓代工和先進封裝領域均具備業界領先能力的整合元件製造商
（IDM），三星將上述產品定位於一站式端到端AI基礎設施解決方案，意圖協助客戶縮短
開發週期，加速差異化AI半導體產品的市場導入。

心得/評論：

三星以突破性的垂直堆疊架構，引領次世代記憶體規格，展現極致技術霸權。

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推 r22025      : 鬼故事嗎
推 ohlong      : 賺爛惹賺爛惹
→ cmcmisgod   : 不算鬼故事 因為我們記憶體製程原本就超落後
→ Waitaha     : 反觀
推 sdbb        : 好Z害
推 lusifa2007  : 三星很常發表嚇人的新技術但真的要量產 良率通常很
→ lusifa2007  : 感人
推 ru04hj4     : 三星記憶體一直很強 市佔率也很高 上次美光嗆也很
→ ru04hj4     : 好笑 蘋果採購量最大應該是三星都沒叫
→ linchw      : 這也要彎道超車？
噓 cloud2015   : 依含狗人膽前不顧後的尿性，硬推的技術，很容易出大
→ cloud2015   : 包
→ nash1314    : z > B
推 FULLHD1080  : 堆在GPU上散熱問題得解
→ NexusPrime  : 有z比較厲害
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推 realbout    : 三爽從看不起HBM到現在追得比誰都勤....
→ Gundam77    : 發表嚇死人，產出笑死人。
推 bepartedby  : 我還是喜歡b
推 okbon       : 這就真3dic 也不是新技術
→ okbon       : 先解決量產散熱再說
推 StNeverRush : 直接疊上去誒 燙死 要挖多少通道
推 lottepudgy  : 我大三星最強
→ jerrychuang : 這不是早就規劃的嗎？
推 peatle      : 想顯示他們超Z害
推 f1731025    : 散熱跟速度呢 只疊容量會大包喔
推 ga3322165   : 怎麼還有人在那狗叫 全家都狗是不是:)
噓 pf775       : 還不是被臺積電屌打