Re: [問題] 三星BAR Plus隨身碟非SSD架構? 為何4K強?

[diji777 (世界流浪漢)]

※ 引述《RIFF ( 胡不歸 )》之銘言：
: https://sdes2303.wordpress.com/2018/11/21/samsung-bar-plus-128g-%E9%9A%A8%E8%
: BA%AB%E7%A2%9F%E9%96%8B%E7%AE%B1/
: https://reurl.cc/0m4W2A   縮
: 外行問:   請見諒
: 查到這支Samsung BAR Plus 128G 隨身碟
: 4K蠻強的--我見識少 覺得罕見
: GOOGLE說是傳統隨身碟架構  不是SSD架構  (疑???)
: 我之所以會注意這種碟是因為我覺得相容性很重要
: 我希望碟能到處亂插時 大檔&4K都能有穩定I/O表現
: 而聽說傳統隨身碟架構比SSD架構 相容性明顯較好
: 不知是否真為傳統隨身碟架構 & 是否相容性極高 & 是否他牌有類似商品
: 感恩

隨身碟的顆粒跟主控頻率你可以想一下是電腦CPU/RAM的頻率搭配

在練習拖焊的料板上拆兩個USB 2.0 隨身碟上有不同的TSOP顆粒, 都是TLC
1) Sandisk 正片 SDTNPNAFEM-008G
2) 創見美光自封片 FCGMT4P-0S04

如果拆出來自己貼, 主控頻率跑200Mhz
1-->能跑到400MTS 雙貼就是雙通道的概念 直接跑滿3.0頻寬
2-->直接開卡失敗
(這些都是放了10年以上沒通電的, Sandisk正片還能讀的輕鬆秒殺 :p)

這些速度都是跟主控頻率/顆粒頻率/CE數 影響速度
如果只看顆粒本身, 就像是同一個讀卡器接上不同SD卡, 上面全是SD卡的讀寫能力

有些NAND天生就能高速處理大檔跟4K, 有些就是只能做隨身碟的顆粒或是黑片
如果在未知用料的情況下 (除非原廠有標示, 不然都是各種方案都有)
盡量選有NAND生產能力的廠家, 有大量評測樣本的, 或是直接拿DDR200的卡當隨身碟用

如果自己焊工好的話, 可以拆32-128G SSD 自己手搓
不需要SSD主控, 只要隨身碟主控連續讀寫也能跑滿USB 3.0, 4K約在10-30M間

(以上廢話, 只要顆粒好什麼事都能做)

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推 RIFF        : 我外行的理解:最基本最入門的架構 用最好的顆粒
→ RIFF        :   4K也能有10M/S的表現
→ RIFF        :   反過來說:市面上所有花俏的架構與方案 都是為了
→ RIFF        :   用次級的顆粒(省錢) 同時榨出一丁點效能
→ RIFF        :   而這些花俏的架構與方案 常造成相容性變差
→ RIFF        : 以上 ，是這樣嗎?    @.@
→ diji777     : 可以這麼說, 就算是USB2.0 好顆粒好主控開卡也能跑
→ diji777     : 就像以前readyboost專用隨身碟
→ diji777     : 拿出十年前買的創見16G 三星正片, 4K也有5-8M
→ diji777     : 再挖出2007的team 8g 也有3-6K
→ lhhjimmy    : MicroSD express隨便跑也有20MB/s,用轉接卡+2230外
→ lhhjimmy    : 接盒 就是最便宜的高速隨身碟