[新聞] 應材 推全新光照蝕刻系統

[saed (選區電子繞射)]

全球最大設備廠應用材料宣布推出Applied Centura Tetra Z光罩蝕刻系統，為業界所需
的新一代光微影術光罩蝕刻技術，繼續精進多重曝影尺寸縮放至10奈米以下。

應用材料表示，Centura Tetra Z系統所提供的光罩蝕刻技術，首創能夠進行10奈米以下
四重曝影的解決方案，獨步業界；世界級的光罩蝕刻效能與缺陷控制技術，符合邏輯與記
憶體裝置的先進圖案製程技術要求。

台積電雖然有意在10奈米及7奈米的部份光罩層導入極紫外光（EUV）新技術，但是10奈米
及7奈米的主要微影技術仍會以浸潤式（immersion）多重曝影技術為主。所以，應用材料
此次推出新一代光罩蝕刻系統，可支援10奈米以下，正好符合台積電及英特爾等國際大廠
需求。

應用材料表示，Centura Tetra Z系統透過新機台而再次擴充功能，提供所需的線寬（CD
）參數「埃（angstrom）」等級光罩精密度，滿足未來邏輯與記憶體裝置嚴苛的圖案製程
規格。應用材料光罩蝕刻產品處總經理瑞歐．耶拉曼奇里（Rao Yalamanchili）表示，蝕
刻技術是製造光罩的關鍵，使用193奈米波長來製作10奈米或7奈米的圖案，需要各種最佳
化技術，包括浸潤與多重曝影，高度仰賴光罩的運用。

Centura Tetra Z系統是最先進的光罩蝕刻技術，運用精密材料工程及電漿反應動力學的
精進科技，擴充了193奈米（193nm）微影技術的應用，能為新一代光學光罩蝕刻提供所需
的精確度，製作先進節點設計的圖案。

應用材料針對進階的鉻、矽化鉬（MoSI）、硬質光阻層和石英（熔矽石）蝕刻應用，開發
了Tetra Z工具，以製造先進的二元式與相位移光罩（phase-shift masks），優越的系統
展現了持續的技術創新與前所未見的線寬效能，將浸潤式微影術延伸應用於四重曝影與先
進的解析度強化技術，用以確保圖形轉移保真度的重要功能，包括了針對所有特徵尺寸進
行均勻的線性精密蝕刻，以及近乎零缺陷的圖案密度。

http://www.chinatimes.com/newspapers/20150511000077-260204

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http://en.wikipedia.org/wiki/Selected_area_diffraction

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推 BBptt: 正式宣告EUV陣營落敗???
→ NoCode: 東京威力表示：再併ㄧ次啦
推 Davidcute: Immersion可以做到10nm以下也太強大
→ OOOOGAY: ASML表示:
→ ggBird: 請問這種技術是影像處理的運用嗎？
→ SkyLark2001: 不是，是利用蝕刻來加工光罩，改變光的相位，如此可
→ SkyLark2001: 以有效縮短pitch，當然還是要搭配OPC, DFM
→ SkyLark2001: 可查詢關鍵字phase shift mask
推 ckris1945: 看EUV生不太出來，先推PSM改良型擋一下?
推 BBptt: GG出售ASML持股惹...