Re: [轉錄] 清大教授彭明輝：台積電是二流企業

[ljsnonocat2 (平凡是幸福)]

三星電子創造了許多世界第一：世界最早的 64M DRAM（1992）、第一顆256M動態存儲器
（1994）、第一個22英寸TET-LCD（1995）、....、第一顆2 GB快閃記憶體晶片（2005）
、第一個16GB記憶體（2005）等。台積電創造了什麼？是台灣人遠比韓國人笨？還是台灣
的企業家遠比韓國沒氣魄？

  彭教授提到這些三星的第一  技術上是三星原創的???

  還是三星在這些所謂第一上面  製程上有何獨特的改良突破???

  我不認為彭教授舉出三星的這些第一

  會比台積電林本堅博士當初提出"潤浸式曝光"的突破與創意更大...

  當然如果彭教授是舉外星科技的i社的一些製程創意

  例如:現在3D的FinFET結構

  或是當初45nm 利用SiGe填入PFET S/D  給予壓應力的應用

  還是65nm  利用SiN CESL film去給予Si channel strain改變電子傳輸率

  這些才是真正在製程上有特殊創意的地方  基礎科學也要夠強...

  (我猜彭教授應該也不懂這些...)


※ 引述《esp0213 (得了一種不科科會死的病꼩》之銘言：
: 這邊有比較詳盡的敘述
: http://mhperng.blogspot.tw/2015/06/ceo.html
: http://opinion.cw.com.tw/blog/profile/30/article/2964
: fyr

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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 182.234.129.24
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1434902291.A.373.html
推 YKM519: 你說這個太專業了大概會被無視
推 br2658: INTEL真的很猛...
→ br2658: 不過FinFET不是INTEL提出的就是了
  哈  樓上內行  我也忘了FinFET是誰提了  FinFET是兩邊當通道
  不過intel是最早用在商品製造
  做成3邊都能當通道  所以他們是叫3D電晶體...XD

  其實像HKMG提了很久  也是intel最早45nm就導入商品...
  台積還一直到28nm才搞出HKMG來
推 cuteSquirrel:
※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 00:22:23
→ LOVEMS: 原文講的都是產品而非技術，我覺得可以講浸潤式技術最先
→ LOVEMS: 應用的產品會比較好對照
  如果是講產品  台積也可以宣稱
  他們合作製造世界最早的28nm, 45nm, 65nm, ......的GPU或是FPGA或是手機處理器
  反正nvida或是Q社...等等  這些世界級的Fabless公司推出世界第一的產品
  幾乎都是先在台積生產的....XDDD
※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 00:32:45
→ LOVEMS: 所以台積可以這樣宣稱呀，不說出來實在太低調了，結果這
→ LOVEMS: 樣列出來的第一都是三星的，抹滅了台積的原創性
  我只覺得彭教授不完全懂產業  就不要一直發文想硬凹  還舉了很爛的例子
  只會讓人覺得很無言  我隨便一個菜逼八都能輕鬆打臉了..
  可惜他的部落格不能回文  不然一定被很多高手電到飛起來...
※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 01:07:23
推 micronokia: 所以他部落格不開放回文阿
推 deltarobot: 學界跟業界本來就有個很大的gap在 看完笑笑就好
推 IssacYCSu: FinFET的專家以前在gg當技術長 現在在Berkeely EE
  原來是大師 胡正明…太久沒唸書了
推 mlda888: 彭教授之前有出一本書，不知道你有沒有看過，通篇廢文
→ mlda888: 妳可以找來拜讀看看XD
推 eeeericlin: CM Hu
  感謝補充
推 osbsd1: 台積還不都切i社的wafer來抄 ㄎㄎ
→ osbsd1: 就像運動比賽 你做你的 我學你的 還不都一樣?
  XD
※ 編輯: ljsnonocat2 (223.143.128.239), 06/22/2015 07:30:17
推 joh: 看看他知前面對核能問題都被黃士修打到逃走了
→ joh: 你就知道這個人專業領域上如何了...
→ leacks: 一個機械系教授討論電子業，不用跟他認真
推 ZXCWS: 他不懂 這都偏製程改善
→ ZXCWS: 台灣很多認為製程改善只是代工而已
  像我舉i社那些例子  背後要有多深厚的科學基礎研究才能突破
  當初看到paper發表Strain-Si這些技術  我還真的認為 intel應該有外星人在幫忙...XD
※ 編輯: ljsnonocat2 (182.234.129.24), 06/22/2015 08:50:49
推 mico409: 某些東西做出來不困難 困難是如何量產加上維持良率~
→ mico409: 學者當然是打打嘴砲可以 但是真的把東西量產難道沒功勞嗎
推 damm: 都有功勞……但是因此自滿則不予置評
推 kurtdh: 感謝分享
推 twsoriano: 他戰點太門外漢了 如果用輪班星人切入就正解啦
→ twsoriano: 在一個獅子都吃香蕉的島上出了香蕉的公司~~
推 clouder0628: Cheming Hu 在1992年左右提出FinFET的概念，後來三維
→ clouder0628: 結構的電晶體開始慢慢被研究，I公司 後來自己所做的
→ clouder0628: 三維電晶體是稱Tri-Gate transistor，不過基礎的元件
→ clouder0628: 作動原理是類似的
推 douglasc0904: N40G才有SiGe吧!!!
推 JubeChocobo: 已經很腫了 不要再打了
→ Keelungman: 你講的那些都不是i社原創，其實連HKMG也都不是原創
推 Keelungman: i社真正強的地方是看出技術真正的趨勢，並引入可行的
→ Keelungman: 技術成功量產
推 qui: 覺得不用理他,這討論串也太久,不懂的人在批評,要原諒他的不懂
推 syhsu: FinFET是胡振明院士發明的
推 Narcissuss: 學術界就學歷很高的八掛版阿
→ ladioshuang: 彭明輝？單位都搞錯了1000倍，還敢宣稱自己的結論沒
→ ladioshuang: 錯，死不承認錯誤，枉為機械系的教授