推 sasanmo: 這門課做的是wafer，你分析的是已經封裝好IC應用異常， 09/03 02:51
→ sasanmo: 關聯性薄弱 09/03 02:51
→ PECVD: 作driver ic的轉作 fae 喔？比較少見耶！有原因嗎？ 09/03 09:55
→ PECVD: ic異常分析，常見的應該就直接找閎康宜特找emmi之類的 09/03 09:57
→ PECVD: 要找到製程方才能解決的問題比較少 09/03 09:58
想請教一下各位專業的前輩，小弟剛轉行做IC設計的FAE，工作內容主要分析客戶的異常，上這門課對工作的專業性有幫助嗎?
PS: 我是做Driver ic的。
※ 引述《a6931791 (Allen Coak)》之銘言：
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: 【課程名稱】 半導體製程實作（2015/09/12-09/20）
: 【課程代碼】 04O003
: 【上課時間】 2015/09/12起，至9/20日止，每星期(六、日) ，
: 共2週， 09:00~16:00
: 【課程主旨】 藉由簡易的NMOS實做，學員可實際操作半導體相關的設備，
: 如爐管、黃光、清洗蝕刻、量測及鍍膜設備等，並於課程中
: 做進一步相關設備及製程原理的解說，使初步接觸半導體的
: 學員能對半導體製程有更進一步的認識。
: 【課程特色】 1.可實際操作半導體製程相關設備。
: 2.自己做好的晶圓可攜帶回家。
: 3.結業證書 符合"清大奈材中心"或"NDL"或
: "交大奈米中心"申請設備自行操作要件之一。
: 【修課條件】 半導體最基礎的實作，無科系或工作領域限制。
: 但最好是大專以上理工科系畢或半導體、 微機電、
: 面板相關工作，具半導體製程概念者為佳。
: 【諮詢專線】 03-5722644 張營煌先生 yhchang@tcfst.org.tw
: http://edu.tcfst.org.tw/query_coursedetail.asp?tcfst=yes&courseidori=04O003
: ============================================================================
: 【課程大綱】 1.第一節課（3小時）
: NMOS製程流程解說
: 標準清洗
: 晶圓旋乾機旋乾
: 2.第二節課（3小時）
: 高溫熱氧化製程Field oxide(SiO2) 500nm
: 二氧化 矽厚度量測（nanospec）
: 橢圓儀厚度量測
: 3.第三節課（3小時）
: 黃光製程，第一道光罩
: BOE濕蝕刻
: 硫酸+雙氧水去光阻
: 4.第四節課（3小時）
: 高溫磷擴散
: 含磷氧化層濕式蝕刻
: 四點探針量測、二氧化矽蝕刻
: 高溫熱氧化製 程Gate Oxide 50nm
: 5.第五節課（3小時）
: 黃光製程，第二道光罩
: BOE濕蝕刻
: 硫酸+雙氧水去光阻
: 6.第六節課（3小時）
: 濺鍍鋁金屬膜PVD：Al Deposition（RF-Sputter）
: 表面輪廓儀量測
: 7.第七節課（3小時）
: 黃光製程，第三道光罩
: Al Etching
: 8.第八節課（3小時）
: 晶圓切割
: 雷射切割
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