Re: [新聞] 重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大

[sunlight0924 (旅行的意義)]

※ 引述《rachel5566 (rachel5566)》之銘言：
: 重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大勢所趨
: 2016年04月05日 04:09 涂志豪／台北報導
: 英特爾在14奈米及10奈米製程推進出現延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業界及市
場
: 質疑：摩爾定律是否已達極限？不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的
方
: 法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光（EUV），以及開
始
: 採用包括砷化銦鎵（InGaAs）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料。
: 摩爾定律能否持續走下去，主要關鍵在於微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、台
積
: 電、三星等大廠，主要採用多重曝光（multi-patterning）的浸潤式微影（immersion
: lithography）技術，但當製程技術走到10奈米世代時，高密度的邏輯IC需要進行至少4
次
: 的曝光製程，製造成本自然大幅拉高。
: 為了解決微影曝光製程的成本問題，半導體大廠近幾年已著手進行EUV微影技術的研發
，
: 近一年來，EUV技術雖然有明顯突破，但在量產上仍未達到該有的經濟規模。不過，根
據
: EUV設備大廠艾司摩爾（ASML）的說明，今年若能將每日曝光晶圓產能提高到超過1,500
片
: ，將有助於業界開始採用EUV技術。
: 英特爾已規畫在7奈米製程開始採用EUV技術，若是可以達到量產經濟規模，則英特爾可
望
: 在7奈米世代重新回到摩爾定律的循環。至於台積電部份，已計畫在7奈米開始進行試產
，
: 若一切順利，將可在5奈米世代開始導入EUV技術。不論英特爾或台積電，EUV量產的時
間
: 點約落在2020年左右。
: 半導體材料也是延續摩爾定律的重要改變。英特爾已開始試著採用包括砷化銦鎵（InGa
As
: ）及磷化銦（InP）等三五族半導體材料，希望能夠在7奈米之後進行材料上的改變，只
要
: 能重回摩爾定律的循環，英特爾的處理器發展策略就可回到二年循環的軌道。
: 台積電16奈米開始採用鰭式場效電晶體（FinFET）製程，而10奈米及7奈米世將延續採
用
: FinFET技術，而到5奈米之後，也已計畫更改半導體材料。據了解，台積電很有可能會
在5
: 奈米世代採用InGaAs的三五族半導體材料，來維持摩爾定律的有效性。
: http://www.chinatimes.com/newspapers/20160405000104-260204





三五族要克服的事情太多，成本需要太高，光是要沈積一層品質好的氧化層就很難了，不
然的確也很多優點，崩潰電壓及操作速度都是把矽八假的，當然是會把三五族長在矽上，
但因為晶格常數跟矽有差，要多漲很多buffer layer,相當花成本啊

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→ wokou: 最大難度當然就是成本考量，特性再好也只能發paper
推 mothjack: 沒有GG輪班星人衝不出來的良率
噓 soaping: 有啥難做的  上面的主管咪聽每個電一電  底下就做出來了
推 Hikkiaholic: 摩爾，英特爾，三星都錯估的一點:輪班星人的存在
推 astushi: 三五族最大的問題是無法作出好的pmos
推 gohome0083: 台灣不用C4，靠輪班星人就夠了
推 pooboy01: GG讚讚讚
推 br2658: 問題多多
推 oldouch: 都是很毒的元素
推 h0921023316: MM結構可以長在矽基板上，要用MOCVD比較好Epi 但時間
→ h0921023316: 太長了，太厚又有dislocation 差排問題容易crack
→ h0921023316: 至於buffer一般都用漸變方式，最後一層overshoot應力
→ h0921023316: 才能relax掉，這是技術問題所在
推 loloman: 三樓顯然就是下面那群負責的人