Re: [新聞] 重回摩爾定律兩大武器 EUV＋三五族成大

[ljsnonocat2 (平凡是幸福)]

  我還真的認真去找相關新聞....

  還真的不少InGaAs on Silicon的相關技術研究

http://electroiq.com/blog/2015/10/2015-iedm-slide-7-ingaas-nanowire-fets-on-silicon/
縮:http://tinyurl.com/zfczyp4

http://www.eetimes.com/document.asp?doc_id=1326904

http://wccftech.com/intel-abandoning-silicon-7nm/

  懶得翻譯了  有興趣的應該自然看得懂...

  看起來過個幾年Si通道會被換掉的機會相當高



--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 58.114.107.229
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1460342867.A.60A.html
→ jesues: 目前業界的共識是NMOS採用InGaAs, PMOS採用Ge
→ jesues: 另外要把這薄博的一層InGaAs or Ge 放在Si上，目前除非用
→ jesues: 轉印的，不然用磊晶的方式都不是很好的方法，(有buffer層)
→ jesues: 不考慮材料on Si的話, 其實三五族的Fin FET都有人弄出來了
→ jesues: 但是不一定是E-mode就是了，降低Dit還是很大的困難點
推 yutaka28: 各位專業的大大，這樣的作法近期可以很快的應用到產業上
→ yutaka28: 嗎？還是還有一段時間?