[新聞] 三星發表 MRAM 要給 Note 8 用

[ljsnonocat2 (平凡是幸福)]

http://technews.tw/2017/04/28/samsung-mram-note-8/
作者 MoneyDJ

次世代記憶體大戰開打，英特爾研發「3D cross point」技術，擬推「PRAM」。三星電子
不甘示弱，發表「MRAM」（magnetoresistant random access memory，磁阻式隨機存取
記憶體），號稱讀寫速度比 NAND Flash 快上一千倍。

fudzilla、IBTimes、南韓經濟日報報導，三星 24 日發表「MRAM」，此種次世代記憶體
兼具 NAND Flash 和 DRAM 的優點，無須電源也能儲存資料，而且處理速度極快。三星宣
稱，MRAM 是非揮發性記憶體，採用自旋傳輸科技（Spin-torque transfer）讀寫數據，
速度比 NAND 快了一千倍。不僅如此，MRAM 更省電，使用時（active）耗電量比傳統記
憶體少，停用時（inactive）更無需用電。

目前次世代記憶體包括 MRAM、PRAM、ReRAM，其中 MRAM 速度最快，但是量產難度較高。
現在三星只能少量生產，但是預期能盡速克服生產障礙。

三星同時宣布，歐洲大廠恩智浦半導體（NXP Semiconductors）的物聯網半導體將採用
MRAM，雙方簽訂晶圓代工協定，將量產 28 奈米的全耗盡型絕緣層上矽（FD-SOI）。

IBTimes 猜測，倘若三星 MRAM 量產進展順利，或許今年下半問世的 Galaxy Note 8 就
會內建 MRAM，以便做出市場區隔。MRAM 用於智慧手機可加快處理速度，並更為省電。

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  次世代記憶體

  Intel有3D cross point (PRAM)

  三星有MRAM

  台灣咧?  記憶體廠都差不多玩完了...GG又沒做記憶體








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→ Edge5566: GG古早以前有吧 好加在沒做 看看茂德
推 jumpout: 你怎麼知道GG沒做MRAM?
噓 YKM519: 一邊吵著要產業轉型 一邊吵著半導體高污染滾出台灣 又一
→ YKM519: 邊吵著台灣記憶體產業倒光了
→ hibiscus520: 台灣只剩買來組手機/NB啦
推 DontGoCMI: 台灣沒救了
→ baiya: MRAM多久之前就有了 只是容量都做不大 價格又高
→ bonaqabo: MRAM  PCRAM RRAM.....MXIC?
推 manbo024: GG 早就做很久了 各種Ram 都有
噓 laohu: 不可能今年量產還用在S8 太唬洨
推 up411: 台積電偷偷做，你不知道而已
推 Note8: ？？？
推 modernpkman: 拿MRAM 比NAND 是正確的嗎？不是跟DRAM比
推 hibiscus520: 沒問題的,因為是NVM
推 ptta: 台灣從2001年開始就有MRAM研究了  不過DRAM全滅之後大概..
推 damonwu: GG重啟MRAM計畫不是全世界都知道嗎
推 Keelungman: GG做很多記憶體啊，只是沒做量產型罷了
→ Keelungman: 三爽當初還吃了一個很大的team，現在產品出來算很慢了
→ nxuu3u2ye: Mram比flash快?我看是吹的
推 Keelungman: STTMRAM寫很快啊，放在cache都沒問題