→ jerry31528: 轉到蝕刻半年你就懂了 07/30 00:30
→ dubian77: 哈哈 居然看的懂！ 07/30 00:34
→ dubian77: 颱風天問這個真是有向學的心，我不是蝕刻，但是我覺得 07/30 00:36
→ dubian77: 你問的問題paper 上有喔，試著找找看吧！ 07/30 00:36
推 e76628: 難得清流！ 加油 07/30 00:38
推 xcri0922: Clear ratio 07/30 12:40
推 xcri0922: 曝光後特定區域吃得慢叫Macroloading effect, 反之叫Mic 07/30 12:57
→ xcri0922: roloading effect ?? 剛查到的, 我最近也suffered這問題 07/30 12:58
→ xcri0922: 一陣子~~ 07/30 12:58
推 vmcld9: 我的理解啦macroloading effect 是指etch時因為面積太小， 07/30 13:10
→ vmcld9: 所以吃不下去， loading effect 是因為die有些地方有patte 07/30 13:10
→ vmcld9: rn有些地方沒有，所以在一起etch時，會吃不均勻～～ 07/30 13:10
推 vmcld9: sorry,請把macro改成micro 07/30 13:16
推 xcri0922: 還在學習, 感謝Vm大大~~ 07/30 13:20
推 chaoskyuriop: 給你關鍵字 ARDE 與 RIE lag 有興趣可以多看看 07/30 14:44
推 chaoskyuriop: 第二個問題的話 通常來講 PR在wafer上佔的面積越少 07/30 14:46
→ chaoskyuriop: Endpoint越好抓 07/30 14:46
推 chaoskyuriop: 原因是有顯開的地方 才是主要蝕刻的部分 若蝕刻都在 07/30 14:48
→ chaoskyuriop: 吃光阻 endpoint訊號是要抓什麼XD 07/30 14:48
推 smartl: 樓上EPD觀念有問題唷。End point capture主要不是看hole 07/30 18:40
→ smartl: 內或trench內。主要是看hole外的by product或是反應物。 07/30 18:40
推 negohsu: 一般hole沒有EP 07/30 18:49
推 chaoskyuriop: 對蝕刻而言哪有分hole的內外 外就是光阻 內就是沒 07/31 09:58
→ chaoskyuriop: 光阻才吃的下去 ep就是再抓沒光阻的地方 gas跟被蝕 07/31 09:58
→ chaoskyuriop: 刻物的反應物發出的emission spectra 07/31 09:58
推 chaoskyuriop: 所以如果今天hole的open ratio足夠大 , wafer上滿 07/31 10:00
→ chaoskyuriop: 滿的洞 是有可能抓得到ep的 07/31 10:00
推 chaoskyuriop: 這部分歡迎站內討論 剛好最近有遇到相關的issue 07/31 10:06
推 negohsu: 一般來說hole要夠多夠大才有機會抓，一般的contact ,via 07/31 19:05
→ negohsu: 就別想了。此外，有一種蝕刻過程中可以直接計算蝕刻深度 07/31 19:05
→ negohsu: 的，忘了簡寫，也許有機會透過偵測PR thickness來當EP 07/31 19:05