Re: [討論] 晶片體質

[specman (阿皮回家啦!!)]

我都是作前端的前端, 趁此文章想請教此版各位高手.

1. 一般現場狀況是怎樣測試晶片到不到的了某個操作頻率?
   會不會剛開始跑的到, 後來跑不到?

2. 一棵die 失敗, 占整顆chip的成本約多少?

※ 引述《FTICR (FT-ICR)》之銘言：
: 一片或一批 wafer 切出每片晶片一定體質有差，有些頻率可以跑比較高有些比較低
: Intel 也把保證可以跑到不同頻率的晶片標上不同型號來賣
: 不過像是蘋果的晶片，以 A9 為例，Wikipedia 寫設計頻率是 1.85 GHz
: 1. 這樣的話整批做出來的晶片，跑不到這頻率就算是不良品
: 2. 還是這些晶片可能拿去組裝比較低階的產品
: (像是可以跑到 1.85 GHz 用去組裝 iPhone 6s，1.5~1.8 GHz 用去 iPhone SE 或 iPad)
:  甚至不同地區銷售的 iPhone 因為價格不同，用的晶片等級可能會有差?
:  (好像沒看過這樣的評測或新聞過)
: 我自己認為比較可能是選項1.，整批做出來是幾乎都可以跑在設計頻率以上，
: 不知道對不對?
: 是否有前輩可以分享這方面經驗? 感謝！

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※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1505711102.A.81F.html
→ udtsean: 1. 那要 sampling 做加速老化測試
→ udtsean: 2. 不一定，看封裝型式，例如LCD driver IC (COF) 約佔 t
→ udtsean: otal cost 的 30%
推 adfn: 要測試頻率，業界的做法是埋一個專門測試頻率用的小晶圓
→ adfn: 然後測試這個小晶圓通過的delay時間。
推 adfn: 然後依據此delay時間，在與這顆ic真實能跑的頻率兩者相比
→ adfn: 就能過在CP測試平台測出跑不到標準頻率的die了。
推 adfn: 因為每個產品die大小差太多，所以成本結構會完全不一樣。
推 twicm: Speed sensor
→ twicm: +DVFS
→ ptta: 就DFT裡面的on speed test,google一下