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標題[新聞] 三星砸2000多億 倍增中國NAND產能
時間Thu Mar 29 00:09:15 2018
南韓三星電子(SAMSUNG)昨天在陝西省西安市舉行了第2條Nand Flash生產線開工奠基儀
式,從工信部部長苗圩、陝西省委書記胡和平、西安市長上官吉慶、南韓駐中國大使盧英
敏等一眾高官,到去年底才升任三星共同執行長、主管面板與半導體事業的金奇南(Kim
Ki-nam),均列席在座。
三星位於西安的Nand Flash快閃記憶體廠擴建計劃,預計2019年完工。三星並重申今後3
年(2018~2020)將投資70億美元(約2041.41億元台幣),把中國Nand Flash產能提升1
倍,達到每月22萬片。
近年Nand Flash需求水漲船高,價格也跟著節節攀升。但《日本經濟新聞》指出,中國是
三星半導體產品最大出口市場,三星此舉有肯定深耕中國立場不變的意味,似乎也是在全
球保護主義趨勢下,化解針對該公司負面情緒的努力之一。
據DRAMeXchange(全球半導體觀察)和鳳凰網等媒體報導,
三星2010年宣布打算在中國興
建記憶體晶片廠,2012年第1期Nand Flash廠工程動土,總投資額達100億美元,成為三星
有史來海外規模最大的投資案。(劉利貞/綜合外電報導)
新聞來源:
https://goo.gl/jA6EfK
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