[情報] 力旺採用TSMC七奈米推出NeoFuse、NeoPUF

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力旺採用TSMC七奈米推出NeoFuse、NeoPUF提供晶片更安全保護

http://bit.ly/2HNql2U

力旺電子(Ememory)2018.4.27宣布其安全記憶體矽智財NeoFuse已成功在台積高階製程平
台完成驗證，並即將在台積7nm製程推出更多安全防護功能，提供人工智慧（AI）結合物
聯網（IoT）的AIoT和高階車用晶片最根本的資安保護。

為迎合全球資安議題日趨重視，力旺為台積7nm平台開發的安全強化版NeoFuse矽智財預定
於第二季完成設計定案，可提供高階製程晶片最深層的保護。這項安全強化版IP同時結合
NeoFuse記憶體和力旺的晶片指紋NeoPUF，除了能安全儲存資料外，還能提供深植於晶片
內部的晶片ID及可用於加密應用的亂數源(entropy source)，不僅能防止資料遭駭，也能
防範晶片被仿冒。

力旺的NeoPUF安全技術源自矽晶圓的物理不可複製特性(physical unclonable
functions)，在晶片設計及製造階段就提供最根本的硬體保護，相當適合人工智慧、物聯
網及車聯網等高安全需求晶片。

力旺電子嵌入式非揮發性記憶體矽智財NeoFuse已在台積的16nm FF+/FFC、 12nm和7nm製
程完成驗證，其中16nm FF+/FFC製程IP已通過可靠性認證，而且已獲採用於數位電視和機
上盒等需要內容保護的晶片設計。應用層面相當廣泛，包括面板驅動IC、電源管理IC、控
制IC、物聯網相關IC、感應器及車用IC等。

力旺在台積7nm平台開發的NeoFuse方案包含4K*32 bit的可一次編寫記憶體(OTP)，操作溫
度符合AECQ100 Grade 0標準 (-40 to 150°C)。NeoPUF則包含多達4K bit的亂數源，而
且在不需要使用輔助資料運算(helper data)的情況下就能達到零錯誤率。

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