[新聞] 不用EUV也能直上5奈米,鎧俠與合作夥伴欲先導入量產

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不用 EUV 也能直上 5 奈米，鎧俠與合作夥伴欲先導入量產
https://technews.tw/2021/10/22/can-go-straight-to-5nm-without-euv/

半導體製程技術進入 10 奈米節點後，EUV 曝光設備是不可或缺的步驟，但 EUV 曝光設
備每台價格高達 1.5 億美元，且產量有限，讓晶片生產成本驟升。為解決問題，日本記
憶體大廠鎧俠（Kioxia）聯合合作夥伴開發新技術，可不使用 EUV 曝光設備就直達 5 奈
米。

日本媒體報導，鎧俠從 2017 年開始與半導體設備廠佳能及光罩、範本等半導體零組件製
造商 DNP 合作，在三重縣四日市鎧俠工廠研發奈米壓印微影 (NIL) 量產技術。鎧俠已掌
握 15 奈米量產技術，目前正在進行 15 奈米以下研發，預計 2025 年達成。

相較已商用化的 EUV 技術半導體製程，鎧俠表示 NIL 技術減少耗能，且大幅降低設備成
本。原因在 NIL 技術微影製程較單純，耗電量可壓低至 EUV 技術 10%，並讓設備投資降
至僅 EUV 設備 40%。EUV 曝光設備由荷蘭商 ASML 獨家生產，不但價格高昂，且需許多
檢測設備配合。雖然 NIL 技術有許多優點，但現階段量產仍有不少問題有待解決，包括
更容易因灰塵造成瑕疵。

對鎧俠來說，NAND 零組件因採取 3D 立體堆疊結構，更適應 NIL 技術製程。鎧俠也表示
，已解決 NIL 基本技術問題，正在最佳化量產技術，希望較其他競爭對手率先導入
 NAND 生產。若鎧俠成功引進 NIL 技術，可望彌補投資設備競賽的不利局面，又符合減
少碳排放的需求。

據 DNP 說法，NIL 量產技術電路微縮程度可達 5 奈米節點，DNP 從 2021 年春天開始就
據設備規格值模擬。DNP 透露，半導體製造商對 NIL 量產技術詢問度增加，顯示不少廠
商寄予厚望。另一個合作夥伴佳能致力將 NIL 量產技術廣泛用於製作 DRAM 及 PC 用
 CPU 等邏輯晶片設備，供應更多半導體製造商，將來也希望用於手機應用處理器等最先
進製程。

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  不曉得真的有可能實現奈米級的量產嗎?




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推 zzz499      : 還不錯, 但可能還需要一點時間
推 flower42    : 記得NIL好像有膨脹問題？
推 jkl852      : 這是nand 本來重點就跟logic不太一樣了
→ eduishappy  : 可以期待
推 useful13    : 成功率能多高，壓印到後端突然來個破圖前功盡棄
推 Surrounder  : 面板製程這種比較low的可以先成功我才信
推 ZXCWS       : 3D NAND 本來重點就不一樣 做幾層才是重點
推 PoloHuang   : 沒EUV良率拉的起來嗎
→ cena8899    : 鎧俠前身不就是東芝半導体？
推 outzumin    : nano imprint 日本人真屌 竟然能量產
→ outzumin    : 果然日本人搞材料94Z害
→ KurakiMaki  : 離開東芝才有一片天啊
→ OBTea       : Toshiba NAND 本來就是強者
推 watashiD    : 東芝買下光寶的SSD後變成鎧俠
→ wcre        : 做得起來專利賺爆
→ angelpeace  : Koxia本來就很強啦
噓 samchien    : 看內文也才量產15nm， 有什麼了不起嗎？GG不用EUV
→ samchien    : 都可以做到7nm。
→ jeff40108   : nand可以容忍比較低的良率