[新聞] 台積電以「試錯法」前進1.4奈米 外媒曝

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台積電以「試錯法」前進1.4奈米 外媒曝不採用最新型曝光機原因

2025/10/14 17:52

台積電將在本土開始1.4奈米晶圓生產的第一步，但似乎不會依賴ASML尖端且價格高昂的
高數值孔徑EUV曝光機，原因可能是這些設備價格高昂。（彭博）台積電將在本土開始1.4
奈米晶圓生產的第一步，但似乎不會依賴ASML尖端且價格高昂的高數值孔徑EUV曝光機，
原因可能是這些設備價格高昂。（彭博）

〔財經頻道／綜合報導〕台積電將於2025年底開始生產2奈米晶圓消息大底已確定，而根
據最新報導，台積電也將在本土開始1.4奈米晶圓生產的第一步，但似乎不會依賴ASML尖
端且價格高昂的高數值孔徑High-NA EUV曝光機，原因可能是這些設備價格高昂。該公司
將採用複雜的多重曝光技術，而這種替代方案的缺點是耗時耗力，成本高昂，而且初期良
率難以保證，迫使台積電不得不採取「試錯」（trial and error）的方式，逐步改進其1
.4奈米製程

台積電將於今年年底在台中破土動工建設1.4奈米製造廠，但預計要到2028年下半年才能
實現量產。該公司的A14製程可將功耗降低高達30%。

1.4奈米製程的研發將在台積電位於新竹的工廠進行，其台中工廠的招募工作也已啟動。
三棟建築的施工許可證已於8月發放。為實現這項計劃，台積電的初始投資可能高達1.5兆
新台幣，其中很大一部分可能用於在2027年購買30台EUV曝光機。

專家Dan Nystedt在X的最新貼文中表示，台積電不會購買ASML的任何高數值孔徑EUV設備
，原因可能是這些設備價格高昂。每台設備售價4億美元，對台積電來說，這是一項耗資
巨大的工程。台積電先前曾表示，其現有硬體能夠量產1.4奈米晶圓。

根據wccftech報導，台積電可能會採用複雜的多重曝光技術，類似於中芯國際在開發其5
奈米製程時所採用的技術。這種替代方案的缺點是耗時耗力，成本高昂，而且初期良率難
以保證，迫使台積電不得不採取「試錯法」的方式，逐步改進其1.4奈米製程。

然而，台積電與中芯國際最大的區別在於，台積電已經擁有專門的EUV設備來實現這一點
，而且由於距離量產還有幾年的時間，因此它有充足的時間來完善這一尖端製程。

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噓 kakar0to: ASML機器貴所以改用多重曝光耗時耗力且
→ kakar0to: 成本高昂的替代方案?? 記者知道自己在
→ kakar0to: 寫三小嗎?
推 woulin: 我還以為學中芯的作法
→ Kayusumi: 人礦r
噓 gabriel: 完全看不懂記者在寫三小
→ gabriel: 不是買了High-NA EUV就不用試錯了
推 Shepherd1987: 十
→ TISH12311: 讚喔 記者可以當研發主管了 那麼厲害
→ dehyuga: 蠢的媽媽幫蠢開門：蠢到家了
→ dehyuga: 完全沒有一個解釋是正確的也是夠猛了
→ dlhk3: 又一個不懂裝懂的門外漢記者
噓 pacino: https://i.imgur.com/GLG5PMm.jpeg
噓 SkyShih: 文組屁孩廢物被人瞧不起也不是一兩天的事
推 mune: 不採用High-NA 記得是成本太高
推 gsy810043: 連動土破土都搞錯 能期待寫出什麼新聞
→ toothache: 臺積電早就買一臺了，可能多路綫研發
噓 iAsshole: 破土是陰宅用的。
噓 MisterSmile: 看了媒體來源，這種品質的報導不意外
噓 ncu1319: 建議採用一次成功法（one shot success)
→ ncu1319: 會比較省錢跟有效率
→ cunankimo: 台積淪落到要跟中芯一樣用多重曝光了
噓 supeedada123: 笑死 這個報導