[新聞] 挑戰 HBM 王者地位！英特爾 ZAM 記憶體頻

[pl132 (pl132)]

挑戰 HBM 王者地位！英特爾 ZAM 記憶體頻寬達 HBM4 兩倍，容量、散熱更具優勢

https://technews.tw/2026/05/04/intel-zam-memory/

英特爾 Z-Angle Memory（ZAM）技術已接近完成階段，並正全力投入 AI 市場浪潮，試圖
挑戰 HBM 作為高頻寬記憶體主流方案的地位。

做為高頻寬、高容量市場的重要創新，ZAM 正在記憶體產業引發高度關注。這項技術由英
特爾與軟銀（SoftBank）共同開發，目標是提供低功耗、高密度的解決方案，以取代 HBM
。

根據最新資訊，ZAM 記憶體的頻寬預計將達到 HBM4 的兩倍，並可與預計次世代 HBM4E
相媲美。ZAM 預計在 2028 年至 2030 年間進入量產階段。在 2026 年 VLSI 研討會上，
Intel 與軟銀旗下子公司 SAIMEMORY 預計將進一步揭露相關細節。

在架構設計上，ZAM 採用 9 層堆疊設計，其中單一堆疊包含 8 層 DRAM，每層之間僅有
 3 微米矽基板，並由主基板上的單一邏輯控制器（Logic Controller）統一管理。該技
術包含三層主要的矽穿孔（TSV）結構，每層透過混合鍵合（Hybrid Bonding）配置
 1.37 萬個互連路徑。

在容量與效能方面，ZAM 每層提供 1.125GB 容量，使單一堆疊達到 10GB，整體封裝可達
 30GB。堆疊面積為 171mm2 ，每平方毫米提供 0.25 Tb/s 頻寬，單一堆疊總頻寬可達
 5.3 TB/s。

儘管 HBM 目前仍是 AI 加速器與 GPU 的主流記憶體方案，但隨著規格提升，已面臨發熱
與功耗等結構性挑戰。ZAM 則針對高密度、寬頻寬與低功耗進行優化，其垂直結構有助於
散熱，避免傳統佈線層造成的熱堆積問題。

ZAM 的主要優勢包括極高頻寬密度：約 0.25 Tb/s/mm2 ，顯著高於 HBM；更低功耗：針
對資料傳輸能耗進行優化；更佳散熱管理：垂直架構降低熱累積；更高堆疊潛力：支援
 9 層以上堆疊，採用 3μm 超薄矽基板；先進互連技術：包含磁場耦合無線 I/O 與混合
鍵合；AI 工作負載優化：針對生成式 AI 的記憶體瓶頸設計。

ZAM 的最終目標是透過 3.5D 封裝技術實現高密度 3D 記憶體整合，將高頻寬大容量記憶
體、電源與接地軌（Power/Ground rails）、矽光子（Silicon Photonics）及傳統 I/O
整合於單一基板上。

INTEL一直漲,要重返榮耀了嗎,會不會漲到200....

最近半導體真的很瘋狂


--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 180.177.203.113 (臺灣)
※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/Tech_Job/M.1777904539.A.737.html
※ 編輯: pl132 (180.177.203.113 臺灣), 05/04/2026 22:23:10
→ buttery: 2028才量產，也不知道良率好不好。
→ MTKer5566: 這就是差別，規格都老外在訂在研發
→ buttery: 半導體的規格很多都是台積電說了算。
→ buttery: 浸潤式光刻機，鰭式製程，先進封裝都是。
→ twinmick: i家搞記憶體的結果好像都不太好...
推 TripleC: 本來一直納悶為何intel 不重啟記憶體設
→ TripleC: 計生產
推 yusukis: 想起了久遠的rambus
→ physicsdk: 利多出盡？
推 skyswolf: 想想winmax
推 chi731022: 想想 xpoint
推 s1an: Intel 之前就玩過HBM 不知道為什麼後來又不
→ s1an: 玩了
→ bnn: ...把製程和規格混為一談是哪門子理解
→ bnn: 人家後面只看你傳輸速度 容量 溫度散熱 體積
→ bnn: 你裡面怎麼堆疊出來還是你用哪家儀器做才不管
推 roseritter: 來歐來歐 下注會不會爛尾
推 Vansace: 等可以商業化量產再講 不要老是吹實驗室
→ samm3320: 頂多是他自己的東西不用送去GG做吧
推 jupei5566: 什麼鬼
推 douge: 看到3um 的spacing Si 就知道良率...
→ rogergon: 這家是ppt之王，實際會怎麼樣還很難說
推 luweber88: intel的顯卡也沒什麼銷路
→ pf775: 臺積電為什麼沒造記憶體
→ Somebody99: 有機會喔，畢竟對手是三星
推 HAYABUSA1207: 難怪今天漲13%