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作者johsieh (ii)
看板comm_and_RF
標題[問題] BJT基本性質
時間Sun Apr 26 04:37:11 2015
想請問一個有關於BJT的基本問題 在VCE固定下, IB越大, 會讓ICE也越大 我不太懂得是 既然當有電洞進入Base時候 會把本來想要從Emitter移動到Collector的電子抵銷掉 那麼 IB越大 不就表示有越多電洞被送進base中 如此一來 不就有越多的電子會被抵銷掉嗎? 既然這樣 為什麼ICE依然會隨著IB上升而上升呢? ICE雖為電流 但是當電子流越小的時候 不也就表示著電流會下降嗎?? 感謝 -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 128.227.230.184 ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1429994234.A.4AF.html
→ wildwolf: 你有點倒果為因，應該是 VBE 上升導致 140.123.101.43 04/26 08:58
→ wildwolf: IC 上升，IC 上升導致 recombine 變多 140.123.101.43 04/26 08:59
→ wildwolf: 然後，IB是用來補被recombine的hole，所 140.123.101.43 04/26 08:59
→ wildwolf: 以增加。怎麼會反過來從 IB 上升討論 IC 140.123.101.43 04/26 09:00
→ wildwolf: 也跟著上升呢? 140.123.101.43 04/26 09:00
→ johsieh: 可是和FET的Vg不同 BJT不是用IB去控制開128.227.230.184 04/26 11:52
→ johsieh: 關的嗎? 因為在FET裡會說Vg上升而Id上升128.227.230.184 04/26 11:52
→ johsieh: 所以我想說BJT也是IB上升使ICE上升...??128.227.230.184 04/26 11:53
→ twolight: FET：VG上升→ID上升 ; BJT：VBE上升→I 114.33.126.132 10/20 06:40
→ twolight: C上升 114.33.126.132 10/20 06:40