推 seda: 用PECVD的好處是可以低溫（300-400度）沉積S 118.150.165.10 04/09 22:55
→ seda: iO, 用SiH4和N2O。TEOS需要溫度比較高，step 118.150.165.10 04/09 22:55
→ seda: coverage 也比較好 118.150.165.10 04/09 22:55
想請問PECVD有沒有推薦用書??專門或是比較詳細一點的有關於PECVD的書
另外有個問題...想請問說在生成SiO2薄膜上使用SiH4以及使用TEOS有什麼差別嗎?
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