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小弟的系統是利用10GHz的訊號 來當作晶片內部數位電路的clk 但當初設計「完全沒有」考慮到訊號傳輸的問題 只憑萃取RCC後模來驗證function 問題來了 在layout我有兩個元件距離400um 且相連的metal就是10GHz的RF Signal 根據爬文以及詢問的經驗 是說高頻要走在top metal(最厚) 且需經過電磁軟體模擬來觀察loss 但是小弟有個疑問 400um的距離對10GHz訊號來說 「似乎」還看不到波的性質 在考慮材料介電常數後 訊號在chip內部走的速度約一半光速 10GHz波長約為1.5cm 400um似乎遠小於波長的1/20 小弟主要的concerm是BUFFER後訊號的振幅要越接近VDD與GND越好 在想詢問RF專業的人 在模擬時是否可姑且拿後模的結果來當作function work與否的標準? 又或者是我有觀念誤解的地方? 感謝各位QQ -- ※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.136.75.50 (臺灣) ※ 文章網址: https://www.ptt.cc/bbs/comm_and_RF/M.1577380304.A.F06.html ※ 編輯: Claire126 (114.136.75.50 臺灣), 12/27/2019 01:15:32
p23j8a4b9z: 你要考慮的是集膚效應 高頻信號會走在 39.12.193.140 02/15 11:41
p23j8a4b9z: 金屬最上緣的部分 不過還是要看rcc mo 39.12.193.140 02/15 11:41
p23j8a4b9z: del有沒有cover到你看到的頻段 有的話 39.12.193.140 02/15 11:41
p23j8a4b9z: 就沒差 沒有的話還是用電磁軟體double 39.12.193.140 02/15 11:41
p23j8a4b9z: check 39.12.193.140 02/15 11:41