[問題] air cavity package

[gecer (gecer)]

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最近在讀封裝的資料 讀到一種air cavity package 結構上 就是Si 封裝在一個空氣的
腔體內 RF訊號會比較好 查過一些資料 沒有講解RF訊號好比較好的原理   小弟從判斷
是因為空氣介電質較低 所以不會形成共振腔 影響到RF訊號


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推 supergoal: 會不會訊號不容易散到空氣中，我也想知
→ supergoal: 道
推 kdjf: Er低，寄生電容就小啊，高頻對電容敏感
推 supergoal: s21,主要跟df還有長度有關，Er關係反而
→ supergoal: 較小
推 stark: 設計看起來重要的不是上方的蓋子，而是是
→ stark: 環繞晶片四週的兩層二氧化鋁。GaA Er 約 14
→ stark: ，二氧化鋁約 9，因此很適合作為晶片與空
→ stark: 氣的緩衝。猜測電場會集中於高 Er 處，空
→ stark: 腔共振較不易產生
推 supergoal: 那走線以stripline形式在介質內，也會
→ supergoal: 發生共振（如果不打via的話）所以我覺
→ supergoal: 得那蓋了應該也很重要吧
→ supergoal: ^蓋子
推 stark: 因文章裡特別畫了介質內的場線,才有此感覺
→ stark: 高Er的二氧化鋁也可能改變共振點
→ stark: 蓋子當然跟共振有關,只似乎不是文章重點
推 supergoal: 有點搞不懂，電場都侷限於高Er附近，為
→ supergoal: 啥會改變S21諧振點
→ supergoal: 就像走線是微帶線和帶狀線，他的S21都
→ supergoal: 是一樣
推 stark: 的確S21的共振點很難改變，因為邊界條件已
→ stark: 經固定了。不過我說的是 unwanted mode，
→ stark: 例如連到蓋子的場或是因via產生的其他模態
→ stark: ，或寄生電容等，可能產生較高頻的共振。
→ stark: 把晶片放在高介電質的板子中，電場會比較貼
→ stark: 近晶片，表現穩定一些
推 stark: 不過低損耗的二氧化鋁不算便宜，這種方法
→ stark: 有點成本高又複雜，第二層板子還得加一堆vi
→ stark: a