[問題] FinFET製程poly profile

[Johnson1005 (Johnson)]

小弟最近在研究FinFET製程中Poly的profile
想問各位大大我的認知是不是正確的：
示意圖中poly的gate height位子 會作成上寬下窄是為了在poly remove好把poly 掏乾淨
及好填work function metal填的好；
而在poly fin top 到poly fin bottom中Fin bottom的poly做的寬是為了降DIBL

如示意圖：
https://i.imgur.com/TY6kV9J.jpg

不知道我的認知上是否有誤以及示意圖這樣畫是否正確，謝謝！

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